姓名：王文杰
职称：讲师
所在院系：数理学院
研究方向：
?二维材料的生长、光电性质以及第一性原理计算研究。
Focus Area：Growth, Photoelectric Properties and First Principle Calculation of Two-Dimensional Materials.
联系方式：
办公地址：主C519
电子邮箱：wwj2008@ncepu.edu.cn
办公电话：**
个人简介及主要荣誉称号：
王文杰，男，硕士生导师，1979年8月生。2001年在山西师范大学物理系获学士学位，2004年在河北大学物理科学与技术学院光学专业获硕士学位，2007年在中科院半导体所超晶格实验室获凝聚态物理专业博士学位。2007年入职华北电力大学至今。
申请人从2001年开始主要从事用固相反应法制备体相的长余辉材料。对材料的生长及用各种光学测量技术研究材料性质有较深入的理解。如光致发光、压力、拉曼、光调制反射及瞬态光谱测量技术等。2001年到2004年间，以硕士生的身份承担并完成了河北省科学技术研究与发展计划项目()——“长余辉材料在地名标牌和高速路上的照明应用研究”。发表论文9篇，其中EI收录3篇，SPIE一篇。2004年至2007年，申请者在中科院半导体所读博期间，参与完成了两项国家自然科学基金项目：《半导体和半导体纳米结构中的超快光学过程研究》（NO.）和《与Mn有关的半导体的光学性质研究》（NO：**）。在Phy.Rev.B和Appl.Phys.Lett.等国内外期刊上发表SCI论文6篇。2011年参与完成国家自然基金面上项目一项：《铁磁金属/铁磁半导体异质结中磁矩有序化调控》（NO：**/F040803）。2012年参与国家自然基金青年科学基金项目一项:《强场相对论条件下相干硬X射线光子的产生及传播效应研究》（NO：**），在此期间发表论文3篇。2014年开始在学校和学院的支持下，我们建立了团簇和低维材料实验室。申请人和邓加军教授依托自身丰富的材料生长背景和经验开始转向在能源和环境方面有较大应用前景的二维半导体材料的生长和研究工作。我们目前已经可以熟练制备较大尺寸高质量的单层和少层MoS2和MoSe2等多种二维半导体材料，并发表论文4篇。
教学与人才培养情况:
教学课程：
?应用激光物理（物理专业本科生），高等激光物理学（物理专业硕士生）
主要科研项目情况
铁磁金属/铁磁半导体异质结中磁矩有序化调控
国家自然科学基金项目
15
2010
3

强场相对论条件下相干硬X射线光子的产生及传播效应研究
国家自然科学基金项目
25
2012
5

对Sb掺杂影响GaMnAs磁性机制的研究
中央高校基本科研业务专项资金项目
5
2013
1

Sb掺杂对GaMnAs电子结构的影响
北京高等学校“青年英才计划”
15
2013
1

代表性论著
[1]Wenjie Wang, Jing Chen, Jiajun Deng, Jiantao Che, Bing Hu and Xin Cheng,Effect of Sb content on anisotropic magnetoresistance in a (Ga, Mn)(As, Sb) ferromagnetic semiconductor thin film,RSC Adv., 2019, 9, 10776.
[2]Wang Wen-Jie Kang Zhi-Lin Song Qian Wang Xin Deng Jia-Jun, Ding Xun-Lei, Che Jian-Tao, Effect of layer variation on the electronic structure ofstacked MoS2(1-x)Se2x alloy, Acta Phys. Sin., Vol. 67, No.24 (2018),240601.
[3]WANG Wen-Jie, F. H. Su, K. Ding, G. H. Li, S. F. Yoon, W. J. Fan, S. Wicaksono, and B. S. Ma, Different Temperature and Pressure Behavior of Band Edge and N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005, Phy. Rev. B, 2006, 74, 195201.
[4]WANG Wen-Jie*, X. D. Yang, B. S. Ma, Z. Sun, F. H. Su, K. Ding, Z. Y. Xu, G. H. Li, Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, C. W. Tu, Lifetime Study of N Impurity States in GaAs1-xNx (x="0.1%)" under Hydrostatic Pressure, Appl. Phys. Lett., 2006,88, 201917.