Fund Project:Project supported by the Fundamental Research Fund for the Central Universities, China (Grant No. NS2017055).
Received Date:23 September 2018
Accepted Date:28 November 2018
Available Online:01 January 2019
Published Online:20 January 2019
Abstract:Zigzag graphene nanoribbon (ZGNR) is important for novel carbon-based spintronic applications. Currently, most of ZGNR spintronic studies focus on the collinear magnetism where the up-spin and down-spin are separated clearly. But in some cases, e.g. doping and adsorption, the magnetization profile can be modulated and thus noncollinear magnetism can occur. In order to shed light on possible noncollinear magnetism in ZGNR, we study non-collinear magnetism and electronic transport of boron or nitrogen-doped zigzag graphene nanoribbon based on noncollinear density functional theory and non-equilibrium Green's function method. For pristine ZGNR, our results show that the ZGNR presents helical magnetization distribution due to noncollinear magnetization in left and right lead. As the ZGNR is doped with boron and nitrogen atoms, the ZGNR shows a characteristic two-zone feature in the magnetization distribution. Near the dopant site, the magnetic moment of carbon atom is small. However, the magnetic moments of carbon atoms in the left (right) region of dopant are close to those of the left (right) lead. Such a feature provides the possibility of constructing domain walls with various widths on the edge of ZGNR. Moreover, the transmission at the Fermi level (E = 0 eV) decreases with the increase of relative angle between magnetizations of left and right lead, indicating that the spin-flip scattering dominates the electronic transport. However, at E = ±0.65 eV, there is a transmission dip with low transmission, which implies that the dopant induces the strong backscattering. To understand the origin of this dip, we calculate the density of states (DOS) and project the DOS onto each atom of doped ZGNR. The projected DOS shows a large and broad peak at E = ?0.65 eV for N-doped ZGNR but at E = +0.65 eV for B-doped ZGNR. The consistency between the position of dip in transmission and the position of peak in DOS indicates that the transmission dip mentioned above is attributed to strong backscattering from the dopant-induced bound state. Our theoretical results are expected to be useful for understanding the noncollinear magnetism and spin scattering in the doped ZGNR-based devices. Also, our work provides a considerable insight into the design of ZGNR-based nanoelectronic devices, such as the transistor based on spin transfer torque effect. Keywords:graphene nanoribbon/ electronic transport/ density functional/ non-equilibrium Green’s function
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--> --> --> 1.引 言由于边缘电子态的存在[1?8], 锯齿型石墨烯纳米带展示出不同于其他三维材料的电子结构和器件应用[9?13]. 在众多优异物理性能中, 最令人期待的当属自旋电子输运[14?20]. 早期, Fujita等[21]研究了锯齿型与扶手椅型石墨烯纳米带的能带结构, 预测了锯齿型石墨烯纳米带具有线性色散的边缘电子态, 并发现这一边缘态是具有磁性的. 这一研究对于后来石墨烯纳米带的自旋电子学研究具有指导意义. 在实验领域, 一个较为著名的实验来自于van Wees研究组, 他们采用非局域测量的方式测量了石墨烯纳米带的自旋极化输运性质, 并获得了微米级别的自旋相干长度, 表明石墨烯纳米带具有潜在的自旋电子学的应用前景[22]. 此外, 段文晖研究组采用密度泛函/非平衡格林函数方法计算了锯齿型石墨烯纳米带的电子结构和电子输运性能, 发现电子输运性质依赖于体系的结构对称性[23]. Ozaki研究组进一步研究了锯齿型石墨烯纳米带的自旋电导, 发现锯齿型石墨烯纳米带的电导与其宽度、电压和自旋属性密切相关[24]. 目前, 锯齿型石墨烯纳米带的自旋输运研究大多基于共线磁序, 也就是说, 自旋向上和自旋向下两个通道是独立的, 没有耦合在一起[25?30]. 但是, 由于某些原因, 如交换作用竞争、自旋轨道耦合作用等, 自旋向上和自旋向下的电子态可以耦合在一起, 形成非共线磁序. 在锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序研究领域, Yazyev等[31]研究了锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序的稳定性, 预测了石墨烯纳米带的交换常数和自旋波频率. 更进一步, 张影等[32]研究了锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序与电子输运性能, 探讨了左右电极磁化在不同角度下的磁化分布与电子透射系数. 这些研究结果对于设计基于锯齿型石墨烯纳米带的自旋电子器件具有一定的意义. 但是, 器件的模拟和设计还必须考虑到实验测量和材料制备中的现实问题, 如材料中的杂质与缺陷[33?35]. 一个较为直接的问题是: 如果某个碳原子被一个硼或者氮原子取代, 那么锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序与电子输运会有着怎样的改变?针对这一问题, 我们通过第一性原理方法计算了硼/氮掺杂的锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序与电子透射系数, 揭示了掺杂对于非共线磁序和电子输运的影响, 为锯齿型石墨烯纳米带的自旋器件的设计提供了更多的理论素材. 2.计算方法与结构模型本文采用的计算方法是密度泛函/非平衡格林函数方法, 计算模块是OpenMX软件包[36]. 这一方法包含两个部分: 密度泛函方法和非平衡格林函数方法. 其中, 密度泛函方法是基于数值原子轨道的线性展开法. 为了展开波函数, 我们采用数值原子轨道: C5.0-s2p1, H5.0-s2, N6.0-s2p1, B8.0-s2p1. 这里的5.0, 6.0, 8.0代表原子轨道的截断半径(原子单位), s2p1代表利用的s和p轨道的数目. 在做两类计算时需要设置截断能, 一类是计算交换关联势时的实空间积分, 另一类是计算Hartree势. 截断能一般通过测试获得, 也就是通过计算不同截断能下的系统总能量, 获得收敛时的截断能. 这里, 我们获得的截断能为160 Ry (里德伯单位). 由于要计算费米分布函数, 因此需要设置电子温度. 这里, 我们选取电子温度为300 K. 在计算电子输运之前, 通过结构弛豫获得了掺杂石墨烯纳米带的稳定原子结构. 电子输运的计算过程分为三个部分: 首先, 通过常规密度泛函方法计算得到左右电极的哈密顿量, 以此获得电极的自能. 然后, 通过密度泛函方法计算得到中心区的哈密顿量, 采用非平衡格林函数方法计算得到中心区的格林函数、密度矩阵和电荷密度, 再用电荷密度计算得到新的哈密顿量, 不断循环迭代以获得自洽收敛. 最后, 采用自洽后的哈密顿量和格林函数并结合Landauer公式来计算得到电子透射系数. 模拟结构包含三部分: 左电极、中心区、右电极. 其中, 左右电极是石墨烯纳米带, 中心区是硼/氮掺杂的石墨烯纳米带(图1). 为了获得较好的收敛性能, 增加了一些缓冲层来提高自洽效率. 在图1中, z轴给出了石墨烯纳米带的宽度, y轴给出了石墨烯纳米带的长度, 也就是中心区的长度. 沿z轴方向, 石墨烯纳米带的初基胞包含16个碳原子[32]. 沿y轴方向, 石墨烯纳米带的长度用Ly表示, 且Ly = (N?1)a, a = 1.73ac-c, ac-c代表最近两个碳原子之间的距离, N代表边缘上碳原子的数目(在本文中, N = 17). 在掺杂时, 将边缘上的一个碳原子用硼或氮原子来取代. 所有的边缘碳原子都用氢原子饱和了. 图 1 掺杂石墨烯纳米带的结构示意图, 其结构由左右电极、中心区组成, 左右电极磁化之间的偏转角由$\theta$ 定义, 中心区宽度由Ly给出, buffer是为了计算收敛加入的缓冲区, 红色小球代表掺杂原子 Figure1. Schematic diagram of doped ZGNR which consists of left, right leads and central region. The relative angle between two lead magnetizations is defined by $\theta$. The length of central region is defined by Ly. The buffer regions are introduced for the consideration of convergence. The dopant atom is denoted by red sphere.
图 4 石墨烯纳米带投影到几个原子上的电子态密度 (a) 未掺杂; (b) 硼掺杂; (c) 氮掺杂. C1代表中心区上边缘的最左边的碳原子, C8代表掺杂原子左侧的最近邻碳原子, B/N代表掺杂原子, C9代表未掺杂时上边缘最中心的碳原子 Figure4. Projected density of states: (a) Undoped; (b) B-doped; (c) N-doped ZGNR. C1 denotes the leftmost carbon atom on the upper edge. C8 denotes the left nearest neighboring carbon atom of the dopant. B/N is boron/nitrogen atom. C9 denotes the central carbon atom in the upper edge of undoped ZGNR.
图7给出了硼或氮原子掺杂的石墨烯纳米带的透射系数. 由于考虑的石墨烯纳米带包含了非共线磁序和掺杂, 因而电子输运将会受到这两类效应的影响. 第一类效应是非共线磁序效应, 即(1)式, 这一效应主要反映了当磁化方向非共线时的自旋翻转散射. 第二类效应是杂质所产生的束缚态, 这一束缚态对传导电子形成背散射, 降低透射系数. 对于氮掺杂的透射系数(图7(a)), 我们先与未掺杂的结果比较. 当$\theta=0$° 时, 相比于未掺杂的结果(图2(g)), 掺杂引起了 ±0.2 eV附近的透射系数的显著降低, 但在其他能量, 如费米面(E = 0 eV)处, 透射系数依然为2, 与未掺杂的情况是相同的. 我们知道, ±0.2 eV附近的电子态对应于边缘电子态, 因而掺杂实际上是通过改变石墨烯纳米带的边缘原子结构, 从而影响边缘电子态及其透射系数. 我们再看不同磁化偏转角的情况, 当$\theta$变化时, 透射系数的变化主要表现在两个区域, 一个区域是E = ?0.65 eV附近, 另一个是费米面附近. 在第一个区域, 即E = ?0.65 eV附近, 存在一个较宽的dip且透射系数基本不随偏转角的变化而改变. 在另一个区域, 即费米面附近, 透射系数随着偏转角增大而逐渐减小. 这一特征表明: 在第一个区域中, 杂质散射效应占据主导地位, 引起透射系数降低的自旋翻转散射并不明显; 而在第二个区域, 自旋翻转散射效应更具优势, 杂质散射效应并不太突出. 为了解释这一现象, 我们在图7(b)中给出了投影在氮原子上和其他碳原子上的投影电子态密度. 通过与未掺杂石墨烯纳米带的比较, 可以看到碳原子的投影态密度主要由边缘电子态贡献, 而氮原子的投影态密度则主要由位于E = ?0.65 eV附近的新峰来贡献, 这个新峰对应着氮原子贡献的束缚态, 束缚态的能量位置与透射系数中dip的位置一致, 表明图7(a)中的dip结构代表着氮原子束缚态引起的传导电子的强的背散射. 而在其他能量位置, 如费米面附近, 氮原子的束缚态贡献不大, 因此电子输运由自旋翻转散射来决定. 图7(c)给出了硼原子掺杂的石墨烯纳米带的透射系数, 其主要特征与氮原子掺杂的结果类似, 只是由于硼原子的电荷转移方向与氮原子相反, dip结构出现在E = +0.65 eV处, 与图7(d)中给出的硼原子的束缚态的能量位置是一致的. 图 6$\theta=30$°时未掺杂与硼/氮掺杂的石墨烯纳米带的上边缘碳原子的(a)磁矩大小和(b)方向与碳原子位置之间的关系 Figure6. (a) Size and (b) direction of magnetic moment of atoms in upper edge of ZGNR as function of atom position at $\theta=30$°.
图 7 掺杂石墨烯纳米带的透射系数和投影态密度与能量之间的关系 (a), (b)为氮掺杂; (c), (d)为硼掺杂 Figure7. Transmission (top panel) and projected density of states (bottom panel) of doped ZGNRs as function of energy: (a), (b) N-doping; (c), (d) B-doping.