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GaN基薄膜半导体材料不同非线性效应的竞争关系

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:采用金属有机化合物化学气相沉积方法生长了未掺杂GaN,p型Mg掺杂GaN,InGaN/GaN多量子阱等薄膜半导体材料,研究了其在800 nm飞秒激光激发下的非线性光学性质.实验结果表明,在800 nm飞秒激光激发下,多光子荧光、二次谐波等非线性光学信号之间存在着竞争关系,反映出不同非线性光学信号对激发光的能量分配存在着竞争,并通过其非线性光学信号强度与激发强度之间的依赖关系进行了验证.同时,本文对其竞争机理进行了初步探究.
关键词: 氮化镓/
稀土发光材料/
非线性光学效应

English Abstract


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相关话题/光学 信号 材料 激光 金属

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