删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

Majorana零模式的电导与低压振荡散粒噪声

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:Majorana零能量模式是自身的反粒子,在拓扑量子计算中有重要应用.本文研究量子点与拓扑超导纳米线混合结构,通过量子点的输运电荷检测Majorana零模式.利用量子主方程方法,发现有无Majorana零模式的电流与散粒噪声存在明显差别.零模式导致稳态电流差呈反对称,在零偏压处显示反常电导峰.电流差随零模式分裂能的增大而减小,随量子点与零模式耦合的增强而增大.另一方面,零模式导致低压散粒噪声相干振荡,零频噪声显著增强.分裂能导致相干振荡愈加明显且零频噪声减小,而量子点与零模式的耦合使零频噪声增强.当量子点与电极非对称耦合时,零模式使电子由反聚束到聚束输运,亚泊松噪声增强为超泊松噪声.稳态电流差结合低压振荡的散粒噪声能够揭示Majorana零模式是否存在.
关键词: Majorana零模式/
量子点/
散粒噪声

English Abstract


--> --> -->
相关话题/计算 电子 结构 噪声 量子

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究
    摘要:利用金(Au)辅助催化的方法,通过金属有机化学气相沉积技术制备了GaAs纳米线及GaAs/InGaAs纳米线异质结构.通过对扫描电子显微镜(SEM)测试结果分析,发现温度会改变纳米线的生长机理,进而影响形貌特征.在GaAs纳米线的基础上制备了高质量的纳米线轴、径向异质结构,并对生长机理进行分析 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 全腔输出相对论磁控管输出模式转换结构的理论设计和数值模拟
    摘要:采用全腔输出结构后,相对论磁控管径向尺寸显著减小,轴向长度也有较大幅度的缩短.但是,由于输出结构为三个相对独立的扇形波导,实际应用时,一般需要对微波输出模式进行转换.针对全腔输出相对论磁控管,本文研究了两种输出模式转换结构并利用三维全电磁粒子模拟程序对其进行了研究.首先研究了将三个扇形波导角向 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 洞态Ar原子Kα和Kβ伴线和超伴线的理论计算
    摘要:基于全相对论多组态Dirac-Fock方法,对L壳层旁观空穴下Ar原子退激衰变辐射K-X射线Kα1,2(K→L3,2)和Kβ1,3(K→M3,2)的6908条伴线和超伴线跃迁能、跃迁概率进行了系统计算,计算结果与文献已有数据比较具有很好的一致性.通过对(K-1L-l,l=08)伴线和(K-2L ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响
    摘要:建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模拟表明:射频平板腔建场过程中不存在二次电子倍增的情况下,腔体Q值越 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 金红石TiO2中本征缺陷扩散性质的第一性原理计算
    摘要:基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.5 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 氢化杂质和厚度效应对高斯势量子点中二能级体系量子跃迁的影响
    摘要:在计及氢化杂质和厚度效应下,分别选取抛物线型限定势阱和高斯函数型限定势阱描写盘型量子点中电子的横向限定势和纵向限定势,采用Lee-Low-Pines-Pekar变分法推导出量子点中电子的基态和第一激发态能量本征值和本征函数,以此为基础,构造了一个二能级结构,并基于二能级体系理论,讨论了电子在磁 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 具有倾斜极化层的自旋阀结构中磁翻转以及磁振荡模式的微磁模拟
    摘要:基于自由层与钉扎层均为垂直磁各向异性的自旋阀结构,采用微磁学模拟与傅里叶分析相结合的技术,研究了极化层磁矩小角度倾斜情形下自由层磁矩的进动翻转特性.通过沿样品垂直膜面方向同时施加电流与磁场,观察到自由层磁矩垂直膜面方向分量的平均值随磁场的演化翻转曲线中出现了多个凹槽.模拟研究结果表明:在一定的 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 微米量级表面结构形貌特性对二次电子发射抑制的优化
    摘要:抑制二次电子倍增效应是提高空间大功率微波器件和粒子加速器等设备性能的重要课题,而使用表面处理降低材料的二次电子发射系数是抑制二次电子倍增的有效手段.为优化寻找抑制效果最好的表面形貌,本文采用蒙特卡罗方法模拟了各种微米量级不同表面形貌的二次电子发射特性,研究占空比、深宽比、结构形状及排列方式等的 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • La65X35(X=Ni,Al)非晶合金原子结构的第一性原理研究
    摘要:运用基于密度泛函理论的第一性原理分子动力学和静态电子结构计算,研究了La65X35(X=Ni,Al)非晶合金体系原子结构随温度演化的规律及其相关电子结构特性.使用径向分布函数、Voronoi团簇以及键对分析等给出了从高温液体快速冷却到玻璃态过程中原子结构的演化规律.研究发现,该类合金体系的原子 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理
    摘要:陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29