删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

高温等离子体中太赫兹波的传输特性

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:通过解析方法研究了高温等离子体的太赫兹波传输特性.研究发现,高温等离子体对太赫兹波高频频段透过率较高,表现为通带;对低频频段透过率较低,表现为阻带.这与冷等离子体中电磁波的传输特性是一致的.但其透射率还受到温度与磁场的影响,当改变高温等离子体的电子温度与磁场时,在阻带内会产生一尖锐的透射峰.这种现象在冷等离子体模型中从来没有出现过.本文主要对电子温度和外加磁场两个影响因素进行讨论.研究发现,禁带内出现的透射峰频率受磁场影响,而峰值幅度受温度影响.计算得到了不同外加磁场条件下产生高透过率(透射率约为1)时的电子温度.基于该结果进一步研究了透射峰出现的规律,并通过曲线拟合的方法得到了透射峰频率所遵循的计算公式.数值结果表明透射峰频率与外磁场之间为正比例函数关系,而峰值电子温度取值与外磁场的关系表现为指数规律.最后对拟合得到的方程采用时域有限差分法进行了验证,数值结果与解析解符合较好,证明了该研究的正确性.
关键词: 高温等离子体/
磁场/
透射峰/
电磁波

English Abstract


--> --> -->
相关话题/电子 计算 磁场 等离子体 温度

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 一种可用于极化3He实验的新型磁场系统
    摘要:原子核自旋极化的3He气体已被深入研究并广泛用于各种科学实验.在过去的极化3He实验中,为了减小磁场梯度对纵向弛豫时间的影响,通常会建造大尺寸的亥姆霍兹线圈来提供所需均匀度的主磁场环境.本文通过计算得到了新的六正方形线圈系统,可以为极化3He实验提供小型高均匀性的磁场装置.其中线圈系统内部超过 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 二次电子倍增对射频平板腔建场过程的影响
    摘要:建立了射频平板腔动态建场等效电路以及腔体双边二次电子倍增的混合物理模型,利用自主编制的1D3V-PIC二次电子倍增程序和射频平板腔动态建场全电路程序,研究分析了不同腔体Q值情况下二次电子倍增对射频平板腔动态建场过程的影响.数值模拟表明:射频平板腔建场过程中不存在二次电子倍增的情况下,腔体Q值越 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 金红石TiO2中本征缺陷扩散性质的第一性原理计算
    摘要:基于密度泛函理论的爬坡弹性带方法,对金红石相二氧化钛晶体中钛间隙、钛空位、氧间隙、氧空位4种本征缺陷的扩散特征进行了研究.对比4种本征缺陷在晶格内部沿不同扩散路径的过渡态势垒后发现,缺陷扩散过程呈现出明显的各向异性.其中,钛间隙和氧间隙沿[001]方向具有最小的扩散势垒路径,激活能分别为0.5 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 微米量级表面结构形貌特性对二次电子发射抑制的优化
    摘要:抑制二次电子倍增效应是提高空间大功率微波器件和粒子加速器等设备性能的重要课题,而使用表面处理降低材料的二次电子发射系数是抑制二次电子倍增的有效手段.为优化寻找抑制效果最好的表面形貌,本文采用蒙特卡罗方法模拟了各种微米量级不同表面形貌的二次电子发射特性,研究占空比、深宽比、结构形状及排列方式等的 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理
    摘要:陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 基于自吸收量化的激光诱导等离子体表征方法
    摘要:为了表征激光诱导等离子体的定量特征参数,提出了一种谱线自吸收量化的方法,通过获得分析元素谱线的半高全宽来量化谱线自吸收程度,进而得到等离子体的特征参数,包括电子温度、元素含量比以及辐射物质的绝对数密度.与传统激光诱导击穿光谱定量分析方法相比,新方法由于计算过程与谱线强度弱相关,所以分析结果基本 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • H,Cl和F原子钝化Cu2ZnSnS4(112)表面态的第一性原理计算
    摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了Cu2ZnSnS4体相的晶格结构、能带、态密度及表面重构与H,Cl和F原子在Cu2ZnSnS4(112)表面上的吸附和钝化机理.计算结果表明:表面重构出现在以金属原子Cu-Zn-Sn终止的Cu2ZnSnS4(112)表面上,并且表面重构使表面发 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 铁电存储器60Co γ射线及电子总剂量效应研究
    摘要:以型号为FM28V100的铁电存储器为研究对象,进行了60Coγ射线和2MeV电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流参数和交流参数,分析了存储器敏感参数的变化规律.实验结果表明:对动态、静态加电、静态不加电三种工作方式下的结果进行 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 半氢化石墨烯与单层氮化硼复合体系的电子结构和磁性的调控
    摘要:采用密度泛函理论第一性原理的PBE-D2方法,对半氢化石墨烯与单层氮化硼(H-Gra@BN)复合体系的结构稳定性、电子性质和磁性进行了系统的研究.计算了六种可能的堆叠方式,结果表明:H-Gra@BN体系的AB-B构型是最稳定的,为铁磁性半导体,上、下自旋的带隙分别为3.097和1.798eV; ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 外力驱动作用下高分子链在表面吸附性质的计算机模拟
    摘要:采用退火法模拟研究受外力F驱动的高分子链在吸引表面的吸附特性.通过高分子链的平均表面接触数M>与温度T之间的关系计算临界吸附温度Tc,并发现Tc随着F的增加而减小;进而通过高分子链的均方回转半径分析外力驱动作用对高分子链构象的影响,并从回转半径极小值或者垂直外力方向的y和z分量的变化交叉校验临 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29