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基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
关键词: 六角氮化硼/
电阻转变/
忆阻器/
神经形态

English Abstract


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相关话题/神经 过程 数据 计算 电压

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