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ZnCdO/ZnO单量子阱结构及其荧光发射特性

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:采用激光分子束外延方法在Al2O3(0001)单晶衬底上进行了Zn1-xCdxO/ZnO单量子阱结构的生长, 通过控制基底温度、氧气分压等, 获得了阱宽约为1.0, 1.5和4.0 nm的单量子阱结构, 研究了量子阱组分、表面形貌、荧光发射特性. 结果表明, 通过脉冲激光烧蚀陶瓷靶的方法获得的Zn1-xCdxO中Cd含量x约为2%, 外延膜表面平整均匀, 界面质量良好, 在325 nm He-Cd激光激发下, 获得了非常强的光致荧光发射, 1.0 nm量子阱结构荧光发射峰半高宽达到60 meV, 通过量子阱宽度的调控, 量子阱的发射峰从3.219 eV红移到3.158 eV, 且随着阱宽的增加, 量子限制效应变弱(阱宽4.0 nm样品), 通过生长温度、气压条件的控制, 量子阱的缺陷密度可控制在较低水平.
关键词: ZnCdO量子阱/
荧光光谱/
激光分子束外延/
量子限制效应

English Abstract


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