删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

VO2金属-绝缘体相变机理的研究进展

本站小编 Free考研考试/2021-12-29

摘要:VO2是一种热致相变金属氧化物. 在341 K附近, VO2发生由低温绝缘体相到高温金属相的可逆转变, 同时伴随着光学、电学和磁学等性质的可逆突变, 这种独特的性质使得VO2在光电开关材料、智能玻璃、存储介质材料等领域有着广阔的应用前景. 因此, VO2金属-绝缘体可逆相变一直是人们的研究热点, 但其相变机理至今未有定论. 首先, 简要概述了VO2相变时晶体结构和能带结构的变化情况: 从晶体结构来讲, 相变前后VO2从低温时的单斜相VO2(M)转变为高温稳定的金红石相VO2(R), 在一定条件下此过程也可能伴随着亚稳态单斜相VO2(B)与四方相VO2(A)的产生; 从能带结构来看, VO2处于低温单斜相时, 其d//能带和*能带之间存在一个禁带, 带宽约为0.7 eV, 费米能级恰好落在禁带之间, 表现出绝缘性, 而在高温金红石相时, 其费米能级落在*能带与d//能带之间的重叠部分, 因此表现出金属导电性. 其次, 着重总结了VO2相变物理机理的研究现状. 主要包括: 电子关联驱动相变、结构驱动相变以及电子关联和结构共同驱动相变的3种理论体系以及支撑这些理论体系的实验结果. 文献报道争论的焦点在于, VO2是否是Mott绝缘体以及结构相变与MIT相变是否精确同时发生. 最后, 展望了VO2材料研究的发展方向.
关键词: 二氧化钒/
MIT相变/
Mott相变/
Peierls相变

English Abstract


--> --> -->
相关话题/结构 金属 材料 电子 过程

  • 领限时大额优惠券,享本站正版考研考试资料!
    大额优惠券
    优惠券领取后72小时内有效,10万种最新考研考试考证类电子打印资料任你选。涵盖全国500余所院校考研专业课、200多种职业资格考试、1100多种经典教材,产品类型包含电子书、题库、全套资料以及视频,无论您是考研复习、考证刷题,还是考前冲刺等,不同类型的产品可满足您学习上的不同需求。 ...
    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19
  • 激光尾场加速电子的密度梯度注入的解析处理
    摘要:在激光尾场加速电子的机理中,引入适当的密度梯度容易实现并控制电子注入到等离子体波中实现加速.迄今对密度梯度注入的理论研究主要采用粒子模拟.本文发展了一种解析处理密度梯度注入的方法,分析了密度下降区域中电子的注入和加速.给出了一维密度梯度中电子注入发生的条件,采用哈密顿力学得到了线性条件下密度梯 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 一种内置条状金属板的双层金属腔体屏蔽效能的理论模型
    摘要:针对复杂屏蔽腔体往往是由多个空间构成的实际情况,本文构建了内置条状金属板的双层金属腔体物理解析模型,将外层腔体的近场电磁干扰等效为电偶极子,基于Bethe小孔耦合理论并利用推广的腔体格林函数推导了内腔体的电磁场分布的近似表达式.利用该解析模型计算分析了条状金属板的位置和方向对屏蔽效能的影响.通 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 一种基于超材料的宽带、反射型90极化旋转体设计
    摘要:根据各向异性媒质理论,设计了一种宽带、反射型超材料极化旋转体,能够将线极化波极化方向旋转90,极化转化率大于90%的工作带宽为5.514.5GHz.该极化旋转体由两层介质板、金属双开口谐振环和金属底板周期排列构成,具有各向异性的特点,单元两对角线方向的电场分量反射系数相同,反射相位相差180, ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 双光子过程耗散耦合腔阵列中的量子相变
    摘要:基于准玻色方法,利用平均场理论解析求解了环境作用下双光子过程耦合腔阵列体系的哈密顿量,得到了体系序参量的解析表达式,并讨论了耗散对体系超流-Mott绝缘相变的影响.研究结果表明:双光子共振情况下系统重铸相干的腔间耦合率临界值为(ZJ/)=(ZJ/)c'0.34;双光子相互作用过程比单光子过程具 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 不同磁路电子回旋共振离子源引出实验
    摘要:空间推进所用的电子回旋共振离子源(ECRIS)应具有体积小、效率高的特点.本文研究的ECRIS使用永磁体环产生磁场,有效减小了体积,该离子源利用微波在磁场中加热电子,电子与中性气体发生电离碰撞产生等离子体.磁场在微波加热电子的过程中起关键作用,同时影响离子源内等离子体的约束和输运.通过比较四种 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 杂质浓度对Zr替位掺杂-TiAl合金的结构延性和电子性质的影响
    摘要:以Zr替代Ti(或Al)掺杂-TiAl体系为研究对象,掺杂浓度(摩尔比)分别为1/54,1/36,1/24和1/16.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了Zr掺杂-TiAl体系的晶体结构及其稳定性、延性和电子性质等.结果显示,Zr替位掺杂,可以改变-TiAl基合金的结构对称性.计算 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 三维介观超导环的涡旋结构
    摘要:在Ginzburg-Landan理论的框架下,运用有限差分法研究了在圆环电流产生磁场下的介观超导圆环内的涡旋结构,讨论了超导圆环尺寸和不同空间分布的磁场对涡旋形成的影响,得到在一般超导圆环体内的基态多是巨涡旋态、而多涡旋态多以激发态形式存在的结论,说明磁场一般从超导圆环的环孔穿过,而很难穿过超 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩/Ni(100)的界面能级结构随薄膜厚度的演化
    摘要:利用紫外光电子能谱、X射线光电子能谱以及原子力显微镜系统研究了2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)生长在单晶Ni(100)上的能级结构随着薄膜厚度的演化以及薄膜的生长方式.发现第一层C8-BTBT平躺生长且与Ni基底发生了化学吸附反应.从第二层起分子直立生长且 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • 基于临界电子密度的多载波微放电全局阈值分析
    摘要:多载波微放电即发生在宽带、大功率真空无源微波部件中的二次电子倍增放电现象,是影响空间和加速器应用中无源微波部件长期可靠性的主要隐患.多载波微放电全局阈值功率的预测对于工作在真空环境中的微波部件至关重要,但迄今尚无有效方法进行上述阈值的准确分析.本文将微放电发生过程中二次电子分布区域等效为等离子 ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29
  • Ga含量对Mn2-xNiGa1+x结构和磁性的影响
    摘要:系统研究了铁磁性形状记忆合金Mn2-xNiGa1+x的结构、磁性和有序化转变.研究表明:随着Ga含量的增加,Mn2-xNiGa1+x的母相结构由Hg2CuTi型逐渐转变到Cu2MnAl型Heusler结构.母相的晶格常数先增加后降低,当x=0.3时达到最大值.0.3x0.8时,材料除呈现Heu ...
    本站小编 Free考研考试 2021-12-29