2020年1月15日，中国科学院2021年度工作会议在北京召开，会上宣读并表彰了中科院2020年度科技促进发展奖，物理所碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队获奖。
　　中国科学院科技促进发展奖授予为推动中国科学院科学技术研究面向国家地方需求、经济社会发展，鼓励在服务国民经济、社会发展、社会公益等科技创新活动中做出重要贡献的集体，每年推荐评审一次，候选团队由院直属单位推荐，每年奖励总数不超过10个团队。物理所曾经于2014年获得过此项殊荣，获奖的研究团队为"超快超强激光技术及应用团队”。
　　附：碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团介绍
　　研究成果简介：碳化硅 (SiC) 晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料，在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握 SiC 晶体生长和加工技术。SiC 晶体国产化，对避免我国宽禁带半导体产业被卡脖子至关重要。团队自 1999 年以来，立足自主研发，从基础研究到应用研究，突破了生长设备到高质量 SiC 晶体生长和加工等关键技术，形成了具有自主知识产权的完整技术路线，实现了 SiC 晶体国产化、产业化，产生了良好的经济和社会效益，推动了我国宽禁带半导体产业的发展。
　　社会效益和经济效益： 该成果形成了完整的自主知识产权，获授权发明专利 27 项（其中包括 6 项国外专利），主持制定国家标准 3 项。成立了国内首家 SiC 晶体公司 - 北京天科合达半导体股份有限公司，2019 年新增销售收入 1.55 亿元，新增利润 2596 万元。北京天科合达已发展成为国际知名 SiC 单晶衬底生产商之一，引领和推动了我国宽禁带半导体行业研究和产业链的发展。
　　主要完成人：
　　陈小龙、王文军、王刚、郭丽伟、金士锋、郭建刚、许燕萍（中国科学院物理研究所）、彭同华、刘春俊、杨建（北京天科合达半导体股份有限公司）