简介：

贾海强：1991年 西安交通大学电子工程系半导体器件专业毕业，获得学士学位，1994年电子工业部第十三研究所微电子专业毕业，获得硕士学位。2001年 中国科学院物理研究所凝聚态物理专业毕业，获得博士学位。2001年至今中国科学院物理研究所工作， 从事化合物半导体材料与器件研究。在国外主要刊物上发表论文30多篇，申请专利10多项。现为中国科学院物理研究所研究员，在E03组工作。
详见课题组网址：http://e03.iphy.ac.cn/
主要研究方向：

1、GaAs基、GaN基发光二极管外延材料MOCVD生长技术研究。 2、新型LED器件工艺研究。
过去的主要工作及获得的成果：

我们研发了新的红光发光二极管结构及外延生长技术，解决了红光LED结构、物性测量、外延生长和器件结构等问题，得到了高质量的红光LED外延片。 我们根据富In量子点受应力调控的特点，设计了含InGaN应力调制层的有源区结构。通过控制插入的InGaN应力调制层的驰豫度，实现了对InGaN/GaN多量子阱的应力调制和控制，使之形成不同In组分的局域区域，成功研制出单芯片白光发光器件。
代表性论文及专利：

详见课题组网址：http://e03.iphy.ac.cn/
目前的研究课题及展望：

目前主要承担国家自然基金、863课题、产业化应用研究等课题。主要的研究方向包括： 1、GaAs基、GaN基发光二极管外延材料与器件工艺研究。 2、GaN基单芯片白光发光二极管机理研究。 3、GaAs基化合物材料的MOCVD生长技术研究。
培养研究生情况：

已协助培养多名博士生。拟每年招收2名硕博连读生，欢迎物理、微电子等专业的考生报考。电话：
Email：
mbe2@iphy.ac.cn