简介：

男，博导，研究员，课题组长。1997-2004年湘潭大学物理系本科、硕士，2005-2010年德国马普固体研究所和奥地利约翰开普勒大学联合培养博士，2010-2012年德国莱布尼兹固体和材料研究所从事博士后研究，2013-2014年澳大利亚量子计算和通讯技术卓越中心独立从事原子尺度半导体器件研究，2014年到物理所，2016年成立半导体量子材料与器件课题组(N09)。
主要研究方向：

面向量子计算和光电子集成的硅基量子材料和器件
http://n09.iphy.ac.cn/index.html
过去的主要工作及获得的成果：

1. 发现了在硅衬底上大规模生长锗量子线的新方法，在零维量子点被发现22年之后把它推广到了一维量子线 (PRL 109, 085502 (2012))；实现了晶圆级硅基锗量子线的自组装定位生长并观测到可电场调控的强自旋轨道作用(AM 32, ** (2020))；合作实现了国际首个锗量子比特以及量子点和超导微波谐振腔的耦合(Nat. Comm. ?9, 3902 (2018); Nano Lett. ?18, 2091 (2018))。为高性能硅基量子比特及其集成奠定了重要基础(https://arxiv.org/abs/2004.08133)。
2. 有效克服了硅上生长砷化镓存在极性失配、晶格失配和热失配的历史难题(APL?113, 053107 (2018); OME 10, 1045 (2020))，实现了高性能Si(001)及SOI基InAs/GaAs量子点激光器(Opt. Lett. 45, 2042 (2020);Opt. Expr. 27, 19348 (2019))等，对实现单片集成硅光芯片具有重要意义。
目前的研究课题及展望：

研究重点主要集中在：(1)面向量子计算的硅基量子芯片材料，包括半导体量子点、量子线和量子薄膜原子尺度的可控制备和物性表征；（2）面向硅基光电子集成的材料和器件，包括CMOS工艺兼容的硅基III-V族InAs/GaAs材料外延、器件和光电子集成研究。承担课题包括国家重点研发计划，基金委，科学院以及北京市、广东省等纵向和地方政府及国际大公司的横向合作项目。
培养研究生情况：

每年招收硕博生或博士生2-3名，欢迎动手能力强，踏实肯干，有相关背景（物理，材料，电子工程）的考生报考。毕业生就业前景好，已毕业学生在大公司或研究院所工作。
其他联系方式：

近期招聘材料外延、光电子器件或低温输运等研究方向的工程师、博士后和职工，工程师年薪不低于12万，博士后优秀者年薪可达40万，职工具体面谈。
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jjzhang@iphy.ac.cn