性别：男
职称：研究员
职务：
学历：
电话：
传真：
电子邮件：shiws@mail.ipc.ac.cn
通讯地址：北京海淀区中关村东路29号
简 历：1997 年西安交通大学获电子材料与元器件专业博士学位，同年进入中科院物理所从事博士后研究工作。1999 年加入香港城市大学超金刚石及先进薄膜研究中心，研究一维纳米结构的制备、表征以及光学性质。两年后，作为 STA Fellow，在日本国立产业综合技术研究所从事氧化锌薄膜的研究以及无机超细纳米荧光粉的制备及应用。2003年加入美国北卡莱罗纳大学教堂山分校化学系，从事一维半导体纳米结构的制备及应用研究。2005年3月, 被中科院理化技术研究所聘为研究员、博士生导师。分别得到教育部和人事部留学回国基金的支持，并承担了“
社会任职：
研究方向：一维半导体纳米结构的控制生长及性能调控：一维半导体纳米结构中的电子输运行为；通过掺杂和表面调控，可控制备所需结构、尺寸和光电性能的一维半导体纳米结构；探索一维半导体纳米结构在纳米电子学器件上的可能应用。
基于一维纳米结构的新型传感器及传感机理：一维纳米结构的新现象、新效应在化学和生物传感领域的应用，研究新的传感机理和新型传感器。
基于一维纳米结构的清洁能源器件：研究一维纳米结构太阳能电池中的电荷传输特性，利用一维纳米结构制备高效新型太阳能电池；发展基于一维纳米结构的高效光催化材料和方法。
承担科研项目情况：国家****科学基金
国家纳米重大研究计划
中国科学院重大科研装备研制项目
中国科学院知识创新工程项目
自然科学基金面上项目
代表论著：1. Wang XT, Shi WS*, She GW, and Mu LX, Using Si and Ge Nanostructures as Substrates for Surface-Enhanced Raman Scattering Based on Photoinduced Charge Transfer Mechanism, Journal of the American Chemical Society, 2011, 133, 16518–16523
2. Mu LX, Shi WS*, She GW, Chang JC, Lee ST, Fluorescent Logic Gates Chemically Attached to Silicon Nanowires, Angewandte Chemie International Edition, 2009, 48, 3469-3472.
3. Mu LX, Shi WS,* Chang JC, Lee ST, Silicon nanowires-based huorescence sensor for Cu(II), Nano Letters, 2008, 8 (1), 104-109.
4. Shi WS, Peng HY, Wang N, Li CP, Xu L, Lee CS, Kalish R, Lee ST, Free-standing single crystal silicon nanoribbons, Journal of the American Chemical Society, 2001, 123(44), 11095-11096.
5. Shi WS, Zheng YF, Wang N, Lee CS, Lee ST, A general synthetic route to III-V compound semiconductor nanowires, Advanced Materials, 2001, 13(8), 591-594.
获奖及荣誉：
