《国家中长期科学技术发展规划纲要（2006-2020年）》在重点领域中确定一批优先主题的同时，围绕国家目标，进一步突出重点，筛选出若干重大战略产品、关键共性技术或重大工程作为重大专项，力争取得突破，努力实现以科技发展的局部跃升带动生产力的跨越发展。
“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”专项（02专项）项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”由中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司联合承担。经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括国际专利5项），截止到目前，共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）；培养了博士研究生9名，硕士研究生1名。
与会专家对项目取得的研发成果给予了充分肯定，指出开展极紫外光刻胶的研发具有战略眼光，经过项目组成员几年的努力，圆满地完成了研发任务，达到了项目任务书中规定的指标；建立了一支在高档光刻胶领域的研发队伍，为我国的半导体集成电路产业的稳定发展提供了人才支持。
课题承担单位中科院理化所和项目负责单位中科院化学所的领导在致辞中对专家组多年来对光刻胶研发团队的支持表示衷心的感谢。我国的高档电子化学品的研发正处于高速发展期，该项目的完成将对我国半导体产业的稳定发展提供重要保证，希望对高档光刻胶的研发给予持续的支持；鼓励研发团队继续努力，发挥在特殊材料领域设计和制备的优势，为我国半导体工业的发展做出自己的贡献。
科技部重大专项办公室、北京市经济和信息化委员会、02重大专项办公室、02重大专项总体组及02重大专项办公室聘请的任务验收专家和财务验收专家等有关单位的领导和专家参加了本次验收会。
项目总体汇报
课题汇报
国家科技重大专项（02专项）极紫外光刻胶项目顺利通过国家验收
