姓名:
佘广为性别:
男
职务:
无职称:
副研究员
学历:
博士研究生通讯地址:
北京市2711-77信箱
电话:
010-82543788邮政编码:
100190
传真:
010-82543513电子邮件:
shegw@mail.ipc.ac.cn
主页:



简历：
佘广为，男，理学博士，中国科学院理化技术研究所副研究员。2001年7月毕业于湖北大学化学与材料科学学院，获理学学士学位；2003年12月毕业于北京化工大学材料科学与工程学院，获工学硕士学位；2007年7月毕业于中国科学院理化技术研究所，获理学博士学位。博士毕业后留在中国科学院理化技术研究所应用光电纳米材料与器件研究组工作，从事半导体一维纳米材料的可控制备、表征及其在能源、传感、光电子器件等领域的应用研究。2009-2010年，在香港城市大学超金刚石及先进薄膜研究中心（CODAF）任高级副研究员。近年来在国际学术期刊发表论文（SCI收录）34篇，包括应邀撰写的综述论文2篇，参与撰写英文书籍2章，申请发明专利24项，其中17项已经获得授权。主持国家自然科学基金项目、中国科学院知识创新工程重要方向项目子课题以及中国科学院理化技术研究所青年基金和所长基金项目各1项，参与973、863等多项重大科研项目。




研究领域：
1.半导体一维纳米结构的可控制备：利用电化学沉积法、化学气相沉积法等制备半导体一维纳米结构，调控产物的形貌、结构、尺寸等参数
2.半导体一维纳米结构在传感器、能源等领域的应用研究：构筑基于半导体一维纳米结构的电化学传感器，实现对生物分子的快速、灵敏、准确检测；探索半导体一维纳米结构在太阳能电池、光电化学制氢方面的高效应用。



社会任职：


获奖及荣誉：

代表论著：
1.GuangweiShe,HailongLiu,LixuanMu,WenshengShi,Synthesis,Properties,andApplicationsofOne-DimensionalTransitionMetalSilicideNanostructures(Chapter12)inSilicon-basedNanomaterials,Vol.187,Springer,2013.
2.XiaopengQi,GuangweiShe,*MengWang,LixuanMu,WenshengShi*,Electrochemicalsynthesisofp-typeZn-dopedα-Fe₂O₃nanotubearraysforphotoelectrochemicalwatersplitting,Chem.Commun.2013,49,5742-5744.
3.GuangweiShe,LixuanMu,WenshengShi,ElectrodepositionofOneDimensionalNanostructures,RecentPatentsonNanotechnology,2009,3,182-191.（invitedreview）
4.GuangweiShe,XiaohongZhang,WenshengShi,XiaFan,JackC.Chang,ChunShunLee,ShuitTongLee,ChanghongLiu,ControlledSynthesisofOrientedSingle-CrystalZnONanotubeArraysonTransparentConductiveSubstrates,Appl.Phys.Lett.2008,92,053111.
5.GuangweiShe,XiaohongZhang,WenshengShi,XiaFan,JackC.Chang,Electrochemical/ChemicalSynthesisofHighly-OrientedSingle-CrystalZnONanotubeArraysonTransparentConductiveSubstrates,Electrochem.Commun.2007,9,2784–2788.




承担科研项目情况：
1．国家自然科学基金青年基金（2012-2014）
2.中国科学院知识创新工程重要方向项目子课题（2011-2013）
3.中国科学院理化技术研究所所长基金人才项目（2013-2015）