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中国科学院力学研究所研究生导师简介-陈启生

力学研究所 免费考研网/2013-11-19

姓名:
陈启生性别:

职务:
无职称:
研究员
学历:
博士通讯地址:
北京北四环西路15号,中国科学院力学研究所,北京
电话:
(010)82544092邮政编码:
100190
传真:
(010)82544096电子邮件:
qschen@imech.ac.cn


简历:
陈启生:力学所研究员,博士生导师,中科院"百人计划"入选者。1989年北京大学力学系流体力学专业毕业,1992年北京大学力学系流体力学专业获硕士学位,1997年在中科院力学所获得博士学位。博士期间工作是关于微重力流体物理研究。1997-2001年在纽约州立大学石溪分校作博士后(Advisor:Prof.V.Prasad)及研究科学家,从事晶体生长模拟工作。2001-2002年在迈阿密佛罗里达国际大学机械工程系担任教师((FacultyAdministratorandCoordinator),讲授机械工程有限元法,并从事氮化物生长模拟工作。2002年作为中科院百人计划回力学所工作,从事微重力流体物理及晶体生长模型化研究。利用数值模拟及三维小扰动线性稳定性理论分析的方法,研究了微重力环境下半浮区液桥的热毛细对流的临界振荡现象,并且确定了液桥体积及细长比对出现振荡对流的临界Marangoni数的影响。从理论上证实了在大Prandtl数情况下,半浮区液桥的热毛细对流的临界振荡Marangoni数对体积曲线有明显的两支。利用流体力学和传热传质的概念,提出了关于碳化硅生长界面的流动-动理学理论模型,即质量输运包括扩散及Stefan对流两种机制,而晶体生长速率与蒸汽的过饱和度成正比。发表SCI收录论文33篇,所发表论文SCI引用280次。


研究领域:
计算流体力学,计算传热学,计算声学,微重力流体,SiC晶体生长及过程模型化招收博士后,博士研究生,从事流体力学或传热学工作。需具有流体力学或传热学背景。联系电话:82544092,E-mail:qschen@imech.ac.cn
社会任职:
《船舶工程》编委,"JournalofHeatandMassTransfer"编委(EditorialBoardMember),中科院力学所国家微重力实验室研究员,“CommitteeonSpaceResearch”COSPARAssociate,ASME,AmericanAssociationforCrystalGrowth,成员力学学会计算力学专业委员会委员,第5、6、7届国际晶体生长模型化会议(IWMCG)咨询委员会成员,力学研究所学位委员会委员

获奖及荣誉:
2001年度中科院百人计划
2012年度南太湖精英计划
代表论著:
  1. J.-Y.Yan,Q.-S.Chen*,Y.-N.Jiang,H.Zhang,ImprovementofthethermaldesignintheSiCPVTGrowthProcess,JournalofCrystalGrowth(2013)http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.02.031
  2. Qi-ShengChen,Yan-NiJiang,Instabilitiesofvortexringsgeneratedbysurface-tensiongradientsbetweenco-axialdisks,InternationalCommunicationsinHeatandMassTransfer39(2012)1542-1545.
  3. WeiLi,Qi-ShengChen,Simulationofthermoacousticwavesbyapressure-basedalgorithmforcompressibleflows,ActaMechanicaSinica28(3),819-824,2012.
  4. Qi-ShengChen,Jun-YiYan,Yan-NiJiang,WeiLi,ModelingonAmmonothermalGrowthofGaNsemiconductorcrystals,ProgressinCrystalGrowthandCharacterizationofMaterials58,61-73,2012(中科院SCI-I区论文)
  5. Qi-ShengChen*,Yan-NiJiang,Jun-YiYan,WeiLi,V.Prasad,ModelingofammonothermalgrowthprocessesofGaNcrystalinlarge-sizepressuresystems,ResearchonChemicalIntermediates37,467-477,2011.(SCI)
  6. Yan-NiJiang,Qi-ShengChen*,V.Prasad,NumericalsimulationofammonothermalgrowthprocessesofGaNcrystals,JournalofCrystalGrowth318,411-414,2011.(SCI)
  7. QishengChen,YanniJiang,JunyiYan,MingQin,Progressinmodelingoffluidflowsincrystalgrowthprocesses,ProgressinNaturalScience18(12):1465-1473,2008.
  8. Qi-ShengChenandYa-ChaoLiu,HydrothermalInstabilityofThermocapillaryConvectioninaLarge-Prandtl-NumberLiquidBridgeunderMicrogravity,AdvancesinSpaceResearch,41:2126-2130,2008.
  9. QishengChen,GuyuDeng,A.Ebadian,V.Prasad,Numericalstudyonflowfieldandtemperaturedistributioningrowthprocessof200mmCzochralskisiliconcrystals,JournalofRareEarths25S2,pp.345-348,2007.
  10. Q.-S.Chen,J.-Y.Yan,V.Prasad,Applicationofflow-kineticsmodeltothePVTgrowthofSiCcrystals,J.ofCrystalGrowth303,pp.357-361,2007.
  11. JingLu,Zi-BingZhangandQi-ShengChen,NumericalSimulationoftheFlowFieldandConcentrationDistributionintheBulkGrowthofSiliconCarbideCrystals,J.ofCrystalGrowth292,pp.519-522,2006.
  12. Qi-ShengChen,JingLu,Zi-BingZhang,Guo-DanWeiandVishPrasad,GrowthofSiliconCarbideBulkCrystalsbyPhysicalVaporTransportMethodandModelingEffortsintheProcessOptimization,J.ofCrystalGrowth292,pp.197-200,2006.
  13. Z.B.Zhang,J.Lu,Q.S.Chen,V.Prasad,ThermoelasticStressesinSiCSingleCrystalsGrownbythePhysicalVaporTransportMethod,ActaMechanicaSinica22(1):40-45FEB2006.
  14. Q.-S.Chen,S.PendurtiandV.Prasad,ModelingofAmmonothermalGrowthofGalliumNitrideSingleCrystals,J.ofMaterialsScience41,pp.1409-1414,2006.
  15. Q.-S.Chen,P.GaoandW.R.Hu,EffectsofInductionHeatingonTemperatureDistributionandGrowthRateinLarge-SizeSiCGrowthSystem,J.ofCrystalGrowth266/1-3,pp.320-326,2004.
  16. Q.-S.Chen,S.PendurtiandV.Prasad,EffectsofBaffleDesignonFluidFlowandHeatTransferinAmmonothermalGrowthSystemofNitrides,J.ofCrystalGrowth266/1-3,pp.271-277,2004.
  17. Q.-S.Chen,J.WegrzynandV.Prasad,Analysisoftemperatureandpressurechangesinliquefiednaturalgas(LNG)cryogenictanks,Cryogenics44(10),pp.701-709,2004.
  18. Q.-S.Chen,V.PrasadandW.R.Hu,ModelingofAmmonothermalGrowthofNitrides,J.ofCrystalGrowth258/1-2,pp.181-187,2003.
  19. Q.-S.Chen,H.ZhangandV.Prasad,HeatTransferandKineticsofBulkGrowthofSiliconCarbide,J.ofCrystalGrowth230/1-2,pp.239-246,2001.
  20. Q.-S.Chen,H.Zhang,R.-H.Ma,V.Prasad,C.M.BalkasandN.K.Yushin,Modelingoftransportprocessesandkineticsofsiliconcarbidebulkgrowth,J.ofCrystalGrowth225/2-4,pp.299-306,2001.
  21. Q.-S.Chen,H.Zhang,V.Prasad,C.M.Balkas,N.K.YushinandS.Wang,Kineticsandmodelingofsublimationgrowthofsiliconcarbidebulkcrystal,J.ofCrystalGrowth224/1-2,pp.101-110,2001.
  22. Q.-S.Chen,H.Zhang,V.Prasad,C.M.BalkasandN.K.Yushin,Modelingofheattransferandkineticsofphysicalvaportransportgrowthofsiliconcarbidecrystals,J.ofHeatTransfer–TransactionsofASME123,pp.1098-1109,2001.
  23. Q.S.Chen,V.Prasad,A.ChatterjeeandJ.Larkin,Aporousmedia-basedtransportmodelforhydrothermalgrowth,J.ofCrystalGrowth198/199,pp.710-715,1999.
  24. Q.-S.Chen,V.PrasadandA.Chatterjee,Modelingoffluidflowandheattransferinahydrothermalcrystalgrowthsystem:useoffluid-superposedporouslayertheory,J.ofHeatTransfer–TransactionsofASME121,pp.1049-1058,1999.
  25. Q.-S.Chen,W.-R.Hu,andV.Prasad,Effectofliquidbridgevolumeontheinstabilityinsmall-Prandtl-numberhalfzones,J.CrystalGrowth203,pp.261-268,1999.
  26. Q.S.ChenandW.R.Hu,InstabilityfromsteadyandaxisymmetrictosteadyandasymmetricfloatinghalfzoneconvectioninafatliquidbridgeoflargerPrandtlnumber,ChinesePhysicsLetters16,pp.822-823,1999.
  27. Q.S.ChenandW.R.Hu,Influenceofliquidbridgevolumeoninstabilityoffloatinghalf-zoneconvection,InternationalJ.HeatMassTransfer41,pp.825-837,1998.
  28. Q.S.ChenandW.R.Hu,Numericalinvestigationonasimulationmodeloffloatingzoneconvection,Int.J.HeatMassTransfer40,pp.757-763,1997.
研究生指导:
已毕业学生:
卢靖,硕士,碳化硅晶体生长中的流场和浓度场的数值模拟(已毕业)张自兵,硕士,碳化硅晶体生长过程中的温度场与应力场的数值模拟(已毕业去中科院)邓谷雨,硕士,单晶硅生长过程的数值模拟(已毕业去中物院)高鹏,博士(副导师),(已毕业)刘亚超,博士,旋转浮区液桥热毛细对流的数值模拟及稳定性分析(已毕业去学而思)颜君毅,博士(已毕业去安泰科技)姜燕妮,博士(已毕业去国电)李炜,博士(已毕业去国核)秦明,硕士(已毕业去中石油)

承担科研项目情况:
基金委员会面上项目(11272320)“微重力界面流动环状流结构及流体波研究”,2013-2016,负责人。基金委员会面上项目(10972226)“微重力静态变形界面流动及稳定性研究”,2010-2012,负责人。“十一五”国家科技支撑计划,高速列车气动噪声预测及评估研究,2009-2012,负责二级子课题。国家自然科学基金重大项目(50890182)子课题“大振幅、高频率可压缩交变流动低温传热机理研究”,2009.1-2012.12,负责三级子课题。中科院百人计划经费,“微重力流体物理及材料制备”,2002—2005。基金面上项目(10472126),“碳化硅晶体生长过程中的流场及应力场模拟”,2005-2007。基金面上项目(50776098),“氨热法晶体生长中传热传质及动力学研究”,2008-2010。

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