硅器件与集成技术研究室是面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主的研究室。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。研究室一直秉承“满足国家战略需求”的科研定位，承担着多项国家重大项目和任务。尤其在高可靠性的SOI集成电路器件研究方面具有雄厚的实力，处于国内领先地位，为国家微电子事业和重要应用领域做出了重大贡献。

　　研究室下设SOI集成电路、功率器件、显示驱动、测试及可靠性技术四个课题组，拥有一个器件设计&仿真实验室、一个集成电路测试实验室、一个功率器件全参数测试实验室和一个可靠性检测&失效分析实验室。

　　研究室前身是中国科学院半导体研究所的大规模集成电路技术研究室。长期从事CMOS先导工艺技术研究，取得了多项代表国家IC工艺研究水平的成果，是国内最早研制出霍尔电路和VDMOS器件的单位。在国家“六五”科技攻关中，出色地完成了4KDRAM、16KDRAM和64KDRAM的研制；在国家“七五”科技攻关中，完成了“定制、半定制集成电路设计与制造”、“1～1.5μm新工艺、新器件”结构的探索性研究等重大研制项目；在国家“八五”科技攻关中，自主开发成功了“0.8微米集成电路芯片制造技术”，并应用此技术研制成集成度为7000门的通用模糊控制器电路和双层金属布线的高速时钟驱动电路；“九五”期间，开发了0.18和0.25微米CMOS集成电路关键工艺技术，并用以研制成功千门级实用电路、性能良好的0.1微米CMOS器件及环振电路、大规模SOI/CMOS实用电路。

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