本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

 

（一）闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分

（二）试卷结构

        第一部分：名词解释， 约50分

第二部分：简答题，约20分

        第三部分：计算题、证明题，约80分

 

（一）半导体的电子状态：

半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，2．    了解热电效应的一般描述，半导体的温差电动势率，半导体

的珀耳帖效应，半导体的汤姆孙效应，半导体的热导率，半导体热电效应的应用。

3．理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。理解磁阻效应。了

解磁光效应，量子化霍耳效应，热磁效应，光磁电效应，压阻效应。了解声波和载流子的相互作用。

 

刘恩科，朱秉升，罗晋生．《半导体物理学》，电子工业出版社，2008。

 

 

 

编制单位：中国科学院大学