姓名： 王焕华
部门： 多学科中心

邮箱： wanghh@ihep.ac.cn


电话：


　　简 介 　　王焕华，男，1995年在山东大学物理系获得物理学学士学位；2001年在中科院物理所获得光学专业博士学位；2001-2003在康奈尔大学做博士后，参与CHESS G3实验站的搭建，并开展氧化物薄膜的同步辐射时间分辨X射线散射研究；2003-2004在佐治亚大学做研究助理，开展纳米结构的掠角脉冲激光沉积法制备和结构研究；2004年10月至今在中科院高能所从事同步辐射X射线散射方法学及其应用研究，这期间分别于2005年11月-20016年11月在斯坦福国际研究院（SRI International）从事合作访问研究，2012年2月-2014年4月在伊利诺伊大学香槟分校做访问****，利用APS的设备开展低维材料的表面散射研究。在从事同步辐射线站工作的同时，从2007年以来，他在中国科学院大学（前中科院研究生院）承担《X射线晶体学》教学任务。 招生方向：1) 光与物质的相互作用及其在凝聚态物理中的应用：同步辐射（共振、表面）X射线散射、衍射、反射、驻波、偏振分析方法学与仪器发展与应用； 2) 薄膜与异质结的制备、结构与物性关系研究：原子尺度上的生长机理与表面过程；促进层状生长的物理效应；界面结构分析；宽禁带化合物半导体的缺陷结构；p型透明导电氧化物薄膜；低维材料的量子相变。
研究领域及主要研究成果：　　
　　
目前的研究领域：
1）低维材料的量子相变研究；
2）p型透明导电氧化物的设计、制备与表征；
3）宽禁带化合物半导体材料（ZnO、GaN）与器件的点缺陷结构研究；
4）北京高能光源(HEPS)多环境低维结构探针（MELODISP）的设计建设
主要成果：
1）参与完成了CHESS G3实验站的建设，升级了北京同步辐射1W1A漫散射线站，完成了一系列实验设施和程序建设；
2）发明了一种设计系统消光材料的方法，采用Rate Equation模型计算解释了薄膜生长过程中的时间分辨X射线散射特征；
3）首次设计合成了n型Sb-doped SrTiO3透明导电氧化物薄膜，首次制备了SnO2:Ga/SnO2:Sb透明同质pn结二极管；
4）合作发明了基于铁磁共振的射频识别码（RFID），获得了国际专利；
5）合作发现了Bi2Te3/Si(111)-7′7界面浸润原子层的存在并解出其结构

　　

　　　　　　　　　　　　



? ? ???