3月24日，超导腔中温烘烤和中温退火工艺研究研制工作取得新进展。中科院高能所射频超导与低温研究中心科研技术人员瞄准国际上高Q高梯度超导腔研究的最终目标，另辟蹊径在国内率先开展了超导腔中温烘烤和中温退火工艺的研究，仅采用该工艺在保持超导腔高梯度的前提下大幅提高了Q值。
　　超导腔技术路线所取得的初步成功对于高能所正在攻关、目前国际上也尚不十分稳定的技术路线来说开辟了新的研发之路。其中，采用中温烘烤工艺的1.3 GHz单cell超导腔（编号为PAPS-HTF-1300-S016）在2K垂直测试下加速梯度达到33MV/m，对应Q₀约为1.8×10¹⁰，而在16MV/m梯度下Q₀约为3.0×10¹⁰，远高于EP工艺腔典型Q值（约2×10¹⁰）。另一只超导腔（编号为PAPS-HNF-1300-S021）在2K垂直测试下加速梯度为25MV/m时Q₀大于3.5×10¹⁰。
　　此前，高能所已在氮掺杂工艺上持续追赶国际先进水平并取得了一定进展，现又在两项新工艺上与国际同行站在了同一起跑线上。
　　中温烘烤和中温退火工艺的研究工作得到了上海硬X射线自由电子激光 (SHINE) 预研项目、先进光源研发与测试平台 (PAPS) 项目、环形正负电子对撞机 (CEPC) 预研项目的大力支持。

图1 中温退火工艺的温度与真空曲线

图2 1.3 GHz 单cell超导腔垂直测试结果