摘要SiC MOSFET分立器件的并联已在中大功率的电力电子设备中广泛使用，为充分利用并联使用的优势，避免不当并联可能产生的电热失衡现象，需提前预测开关管并联工作时的稳态电-热分布情况。而由于半导体器件在生产过程中的差异性不可避免，即使是同一厂商生产的同一型号SiC MOSFET，在关键参数如阈值电压UTH和导通电阻RDS(ON)上都有所差异，而这些参数正是影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的关键参数。本文研究了影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的因素以及关键参数的温度分布特性，并在此基础上提出了一种电-热分布特性的预测模型，最后搭建了实验平台验证了预测模型的准确性。
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一种SiC MOSFET并联的稳态电-热分布预测模型
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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