摘要为降低碳化硅（SiC）双极型晶体管（BJT）开关过程中的总损耗，针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路，研究了考虑回路寄生参数情况下SiC BJT的详细开关过程，分析了加速电容对SiC BJT开关损耗和驱动损耗的影响，推导出了加速电容对SiC BJT开关过程各阶段持续时间的数学关系。理论分析表明，随着加速电容的增大，SiC BJT的驱动损耗成比例上升，而对开关损耗的优化并不明显。实验测试了加速电容从33nF到94nF变化时SiC BJT的开关波形，并对加速电容变化时的SiC BJT的驱动损耗以及开关损耗进行了对比。实验结果表明，随着加速电容的增大，开关过程中的总损耗呈现先减小后增大的趋势，通过合理选取加速电容值，能够有效降低SiC BJT开关过程的总损耗。
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基于SiC BJT典型双电源阻容驱动电路的开关过程分析及损耗最优的实现
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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