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4H-SiC沟槽结势垒二极管研制

本站小编 Free考研考试/2022-01-02

摘要优化设计了1200V 4HSiC沟槽结势垒二极管(TJBS)主结处的沟槽结构,将主结范围内间隔刻槽的槽下、槽间进行P型注入形成结势垒,纵向增加了结势垒面积,从而在反向时可以有效利用主结承担更多电压,并有利于反向时耗尽区向终端区的扩展。通过Silvaco二维仿真软件对主结处的沟槽结构进行优化设计,其优化结构仿真击穿电压高达1843V。并实际制作了此优化结构TJBS,结果表明其反向击穿特性优于传统沟槽结构。

PDF全文下载地址:

https://ateee.iee.ac.cn/CN/article/downloadArticleFile.do?attachType=PDF&id=1903
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