摘要在高耐压器件中，保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键，超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真，得到了击穿电压为1680V，比导通电阻为060mΩ·cm2的超结VDMOS器件。
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1200V SiC超结VDMOS研究
本站小编 Free考研考试/2022-01-02
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摘要能量路由器是一种具备能量灵活转化、变换、传递和路由功能的柔性装置，研究以能量路由器为配电枢纽的交直流混合微网潮流计算方法，对实现微网的稳定、优化运行具有重要的意义。本文通过分析建立针对各类控制策略的潮流特性，并考虑不同拓扑结构的损耗因素，建立了基于能量路由器的交直流混合微网的潮流模型；在此基础上 ...中科院电工研究所 本站小编 Free考研考试 2022-01-02微电网中电力电子变压器的电压质量控制策略研究
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