基本信息
钟汇才男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件: zhonghuicai@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
部门/实验室:先导中心
研究领域
招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学081203-计算机应用技术085208-电子与通信工程
招生方向大数据与人工智能集成电路先导工艺技术
教育背景1999-07--2002-05美国北卡罗纳州立大学博士1995-09--1998-07中国科学院固体物理研究所硕士
学历
学位
工作经历
工作简历2009-08~现在,中国科学院微电子研究所,研究员2007-01~2008-08,美国SanDisk公司,主管器件工程师2002-02~2006-09,美国AMD公司,资深器件工程师
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息(1) 中国科学院杰出成就奖, 一等奖, 部委级, 2014
专利成果( 1 ) 一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 1.6( 2 ) 一种衬底结构、半导体器件及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 8.4( 3 ) 半导体器件及其形成方法、封装结构, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 5.5( 4 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 1.X( 5 ) Method for modulating flatband voltage of devices having high-k gate, 发明, 2006, 第 1 作者, 专利号: **( 6 ) 一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 5.5( 7 ) 层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 6.9( 8 ) 半导体器件结构及其制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 1.1( 9 ) 半导体结构及其形成方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 4.9( 10 ) 半导体器件及其制作方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 6.7( 11 ) 一种半导体器件的制造方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 9.7( 12 ) Semiconductor devices and methods for forming the same including contacting, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: **( 13 ) 栅极堆叠的制造方法和半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 0.6( 14 ) 嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 9.6( 15 ) CMOS gates formed by integrating metals having different work functions, 发明, 2007, 第 2 作者, 专利号: **( 16 ) 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 5.5
出版信息
发表论文(1)缩小尺寸场效应管器件的载流子迁移率增强技术总体评估与现状,Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status,Journal of ELECTRONIC MATERIALS,,2011,通讯作者(2)在体硅上利用与CMOSFET工艺兼容工艺制备的高性能N型环栅硅纳米管场效应器件,High-Performance Silicon Nanowire Gate-All-Around nMOSFETs Fabricated on Bulk Substrate Using CMOS-Compatible Process,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,,2011,通讯作者(3)利用反向Halo离子注入来控制场效应管的短沟道效应,On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation,IEEE Electronic Device Letters,2007,第2作者(4)RuO2作为双金属极硅场效应管电极的电学特性,Electrical properties of RuO2 gate electrodes for dual metal gate Si-CMOS,IEEE Electronic Device Letters,2001,第1作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 ) 集成电路先导工艺研究的器件测试, 主持,国家级,2009-12--2012-12( 2 ) 面向远程医疗和社区医疗信息化的无线物联网技术总体研究, 参与,国家级,2011-12--2013-06( 3 ) 汽车移动物联网总体技术研究, 参与,国家级,2012-01--2013-06( 4 ) 半导体器件测试、分析和参数提取, 主持,部委级,2010-08--2012-12( 5 ) 场发射枪扫描电子显微镜开发和应用, 主持,国家级,2014-01--2018-01( 6 ) 高可靠非挥发存储技术与芯片, 主持,院级,2015-01--2019-01
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生已指导学生
陈政硕士研究生430110-集成电路工程
王防防硕士研究生085209-集成电路工程
曾定衡硕士研究生430110-集成电路工程
李弦博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李影硕士研究生085208-电子与通信工程
李鑫硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
张琴硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
童小东博士研究生080903-微电子学与固体电子学
江洋硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
龙煌硕士研究生085209-集成电路工程
叶根圣硕士研究生085208-电子与通信工程
乔照海硕士研究生085212-软件工程
王志广硕士研究生085212-软件工程
贾明岳硕士研究生085212-软件工程
徐锐硕士研究生085212-软件工程
高鹴硕士研究生085212-软件工程
赵巍颂硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
王锟朋硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
田敏博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张羽博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李玥琪博士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨键刚博士研究生080903-微电子学与固体电子学
唐舸宇博士研究生080903-微电子学与固体电子学
陈硕硕士研究生085208-电子与通信工程
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本站小编 Free考研考试/2020-04-28
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中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-钟华
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基本信息钟达男博导武汉物理与数学研究所电子邮件:zhongda@wipm.ac.cn通信地址:中国科学院武汉物理与数学研究所邮政编码:430071研究领域招生信息招生专业070208-无线电物理招生方向原子频率标准教育背景1985-09--1988-03北京航空航天大学硕士1979-09--1983-07北京航空航天大学学士学历--研究生学位--硕士工作经历工作简历2009-10--今中科院武汉物 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-钟成
基本信息钟成女硕导中国科学院深圳先进技术研究院电子邮件:cheng.zhong@siat.ac.cn通信地址:深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号邮政编码:部门/实验室:脑所研究领域招生信息招生专业071006-神经生物学招生方向本能环路,电生理,癫痫,情绪教育背景学历学位工作经历工作简历2018-12~2019-06,中国科学院深圳先进技术研究院,副研究员2013-10~2018-12,中国 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28