基本信息
郑中山男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： zhengzhongshan@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：硅器件中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向高可靠性器件与集成技术
半导体材料与器件的辐射效应


教育背景2002-09--2005-06中国科学院半导体研究所研究生/博士
1986-09--1989-06山东大学物理系研究生/硕士
1982-09--1986-06山东大学物理系本科/学士

学历
学位

工作经历
工作简历2010-10~现在,中国科学院微电子研究所,科研人员
2005-07~2010-09,济南大学物理科学与技术学院,教师
2002-09~2005-06,中国科学院半导体研究所,研究生/博士
1989-07~2002-08,济南大学物理科学与技术学院,教师
1986-09~1989-06,山东大学物理系,研究生/硕士
1982-09~1986-06,山东大学物理系,本科/学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Studies of radiation effects in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures induced by Si heavy ions,J. Appl. Phys.,2019,第4作者
（2）Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation,IEEE 14th ICSICT,2018,第3作者
（3）Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation,Semicond. Sci. Technol.,2018,第2作者
（4）Total Ionizing Dose Response and Annealing Behavior of Bulk nFinFETs with On-state Bias Irradiation,IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,2018,第4作者
（5）Correlation between the Decoupling Capacitor Layouts and Single-Event-Upset Resistances of SRAM cells,IEEE 14th ICSICT,2018,第1作者
（6）Roles of the Gate Length and Width of the Transistors in Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM cells,IEEE 12th International Conference on ASIC,2017,第1作者
（7）Anomalous Total Dose Response and Room-Temperature Annealing Behavior in Bulk nFinFETs,Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS),2017,第3作者
（8）Complexity of the Total Dose Radiation Response of Fully Depleted Silicon-On-Insulator NMOSFETs,IEEE 13th ICSICT,2016,第1作者
（9）The radiation hardness of the nitrogen-fluorine implanted buried oxide layer in silicon-on-insulator materials against higher total dose irradiation,SCIENCE CHINA Materials,2016,第1作者
（10）Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs,Chinese Physics C,2015,第2作者
（11）Comparison of Decoupling Resistors and Capacitors for Increasing the Single Event Upset Resistance of SRAM Cells,IEEE 11th International Conference on ASIC,2015,第1作者
（12）Reducing Single Event Upset by Lowering the Threshold Voltage of Transistors,IEEE 12th ICSICT,2014,第1作者
（13）氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响,物理学报,2013,第2作者
（14）Total dose radiation response of modified commercial silicon-on-insulator materials with nitrogen implanted buried oxide,Chinese Physics B,2012,第1作者
（15）高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响,物理学报,2011,第2作者
（16）Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers,半导体学报,2010,第1作者
（17）Influence of nitrogen implantation into the buried oxide on the radiation hardness of silicon-on-insulator wafers,Chinese Physics B,2010,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 栅材料的辐射效应研究, 主持,部委级,2016-01--2019-10
（ 2 ） SOI器件的单粒子辐射效应3D模拟研究, 主持,研究所（学校）,2015-01--2016-12
（ 3 ） 基于特种SOI材料的电路辐射效应研究, 参与,部委级,2014-01--2016-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生