基本信息
张艳华男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： zhangyanhua@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向低维材料生长，红外探测器


教育背景2009-09--2012-07中国科学院研究生院博士
2005-09--2007-07北京理工大学硕士
2001-09--2005-07鲁东大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2015-01~现在,中国科学院半导体研究所,副研究员
2010-01~2014-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2009-09~2012-07,中国科学院研究生院,博士
2007-07~2009-12,中国科学院半导体研究所,研究实习员
2005-09~2007-07,北京理工大学,硕士
2001-09~2005-07,鲁东大学,学士

社会兼职

教授课程半导体光电材料与器件


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: ZL1.9
（ 2 ） 一种制备基于量子点的空穴型存储器的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: ZL8.3
（ 3 ） 一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: ZL6.9


出版信息
发表论文（1）Two-color niBin type II superlattice infrared photodetector with external quantum efficiency larger than 100%,IEEE Electron Device Letters,2017,第3作者
（2）Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure,Solid State Communications,2017,第4作者
（3）Pushing detection wavelength toward 1um by type II InAs/GaAsSb superlattices with inserting AlSb layers,IEEE Electron Device Letters,2016,第1作者
（4）Experimental determination of band overlap in type II InAs/GaSb superlattice based on temperature dependent photoluminescence signal,Solid State Communications,2015,第3作者
（5）Narrow-band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um,IEEE Photonics Technology Letters,2015,第3作者
（6）Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on GaAs (001) substrate,Appl. Phys. Lett.,2015,第4作者
（7）Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector,Appl. Phys. Lett.,2015,第3作者
（8）Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector,Chin. Sci. Bull,2014,第3作者
（9）Interface effect on structural and optical properties of type II InAs/GaSb superlattices,Journal of Crystal Growth,2014,第4作者
（10）Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers,Appl. Phys. Lett.,2014,第4作者
（11）长波和甚长波及其双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究进展,中国科学: 物理学 力学 天文学,2014,第1作者
（12）540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantμm Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier,IEEE electron device letters,2013,第3作者
（13）Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy,Semicond. Sci. Technol,2013,第4作者
（14）How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2-3 μm?,IEEE J. Quantum Electron,2012,第4作者
（15）High Structural Quality of Type II InAs/GaSb Superlattices for Very Long Wavelength Infrared Detection by Interface Control,IEEE J. Quantum Electron,2012,第3作者
（16）Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/ GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity,Appl. Phys. Lett.,2012,第1作者
（17）Very long wavelength quantum dot infrared photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlGaAs insertion layers,Appl. Phys. Lett.,2011,第4作者
（18）Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunneling barriers,Appl. Phys. Lett.,2011,第4作者
（19）Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure,Appl. Phys. Lett.,2011,第3作者
（20）Long Wavelength Infrared InAs/GaSb SuperlatticePhotodetectors with InSb-Like and Mixed Interfaces,IEEE J. Quantum Electron,2011,第1作者
（21）10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器,物理学报,2010,第3作者
（22）Quantμm well infrared photodetector simultaneously working in two atmospheric windows,Appl Phys A,2010,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 甚长波InAs/GaSb Ⅱ 类超晶格探测器材料及其新型界面研究, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 2 ） InAs /GaSb二类超晶格长波红外探测材料与器件研究, 参与,国家级,2013-01--2017-12
（ 3 ） 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 参与,国家级,2015-01--2018-12
（ 4 ） 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料及其器件研究, 主持,国家级,2018-01--2021-12
（ 5 ） 低维固态极性结构中量子态调控及其原型器件研究, 参与,国家级,2017-01--2022-01
（ 6 ） 反转型InAs/GaSbⅡ类超晶格太赫兹探测材料生长研究, 主持,省级,2018-01--2019-12
（ 7 ） XXXX项目, 参与,国家级,2016-01--2018-12

参与会议（1）InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器的研究 ：向更长波长挑战第九届全国分子束外延学术会议2015-08-26
（2）长波与甚长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器第二十届全国半导体物理学术会议2015-07-17
（3）长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器第十届全国分子束外延学术2013-08-21
（4）长波与窄带双色InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器第十七届全国化合物半导体材料微波器件和发光器件学术会议2012-11-08
（5）InAs/GaSb Ⅱ类超晶格窄带长波与长波/甚长波双色红外探测器的研究第十三届全国固体薄膜会议2012-08-10
（6）InAs／GaSb II类超晶格红外探测器的研究第九届全国分子束外延学术研讨会2011-07-06


合作情况
项目协作单位

指导学生