基本信息
张建军男博导中国科学院物理研究所
电子邮件： jjzhang@iphy.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区中关村南三街8号
邮政编码： 100190
部门/实验室：纳米实验室
研究领域

招生信息
招生专业080502-材料学
070205-凝聚态物理
085204-材料工程

招生方向半导体纳米结构的可控生长、物性和光电子器件


教育背景2007-05--2010-04奥地利林茨约翰开普勒大学博士第二阶段，博士
2005-11--2007-04德国斯图加特马普固体研究所博士第一阶段
2001-09--2004-06湘潭大学硕士
1997-09--2001-06湘潭大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2014-07~现在,中国科学院物理研究所,****特聘研究员
2013-04~2014-06,澳大利亚新南威尔士大学量子计算与通讯技术卓越中心,Vice-Chancellor's Postdoctoral Research Fellow
2010-05~2013-03,德国德累斯顿莱布尼兹固体与材料研究所,博士后
2007-05~2010-04,奥地利林茨约翰开普勒大学,博士第二阶段，博士
2005-11~2007-04,德国斯图加特马普固体研究所,博士第一阶段
2004-07~2005-10,湘潭大学,助教
2001-09~2004-06,湘潭大学,硕士
1997-09~2001-06,湘潭大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 国家优秀自费留学生奖学金, , 部委级, 2009

专利成果

出版信息
发表论文（1）Evolution of epitaxial semiconductor nanodots and nanowires from supersaturated wetting layers,Chemical Society Reviews,2015,第1作者
（2）Self-organized evolution of Ge/Si(001) into intersecting bundles of horizontal nanowires during annealing,Applied Physics Letters,2013,第1作者
（3）Strain-induced self-assembly of Ge nanodashes, nanodumbbells and dot chains on Si(001),Applied Physics Letters ,2013,第1作者
（4）Monolithic growth of ultrathin Ge nanowires on Si(001),Physical Review Letters,2012,第1作者
（5）Anomalous smoothing preceding island formation during growth on patterned substrates,Physical Review Letters,2012,第4作者
（6）Collective shape oscillations of SiGe islands on pit-patterned Si intermixing,Physical Review Letters,2010,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 新型二维异质结构中电子自旋, 参与,国家级,2015-01--2019-12
（ 2 ） 硅和绝缘体上硅衬底上有序锗纳米线的生长、表征和物性研究, 主持,国家级,2016-01--2019-12
（ 3 ） 面向光信息处理功能的新型纳米等离激元器件研究, 参与,国家级,2015-01--2019-12
（ 4 ） 高质量硅基半导体量子芯片材料研究, 主持,国家级,2016-07--2021-06

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生