基本信息
张波男硕导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： bozhang@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号5号楼十楼
邮政编码：

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向半导体材料与器件


教育背景2009-09--2011-08德国Juelich研究中心合作研究
2007-09--2011-05中科院上海微系统所攻读博士学位
2004-09--2007-03华中科技大学攻读硕士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2013-12~现在,中科院上海微系统所,副研究员
2011-09~2013-12,中科院上海微系统所,助理研究员
2009-09~2011-08,德国Juelich研究中心,合作研究
2007-09~2011-05,中科院上海微系统所,攻读博士学位
2004-09~2007-03,华中科技大学,攻读硕士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN


出版信息
发表论文（1）700?C退火下铝调制镍硅锗薄膜的外延生长机理,物理学报,2016,第11作者
（2）Impact of an ultra-thin Ti interlayer on the formation of NiSiGe/SiGe,Microelectronic Engineering,2015,第1作者
（3）Effect of Sn implantation on thermal stability improvement of NiSiGe,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,2015,第1作者
（4）Improvementof NiSiGe/SiGe Interface Morphology by Ti Incorporation,2014 IEEE 12th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2014,第11作者
（5）Effect of Ti interlayer on the formation of epitaxial NiSiGe on strained Si0.8Ge0.2,14th International Workshop on Junction Technology,2014,第11作者
（6）Formation of High-oriented Epitaxial Ni(SiGe) on Strained SiGe/Si(100) via Adding a Thin Ti Interlayer,ECS Transactions,2014,第11作者
（7）Effects of C ion implantation on electrical properties of NiSiGe/SiGe contacts,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B,2013,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 铝调制外延生长单晶镍硅锗化物及形成机理的研究, 主持,国家级,2014-01--2016-12
（ 2 ） 高迁移率全耗尽绝缘体上SiGe材料研究, 主持,部委级,2014-01--2016-12
（ 3 ） 情报分析可持续服务能力建设, 主持,部委级,2015-01--2016-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生