基本信息
杨涛男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： tyang@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体研究所
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学

招生方向低维半导体异质结构材料外延及激光器、探测器和太阳能电池等器件制备研究
半导体纳米线生长及场效应晶体管等新型纳米器件制备研究


教育背景1994-04--1997-03日本 德岛大学电气电子工程系工学博士
1986-09--1989-03哈尔滨工业大学应用物理系理学硕士
1980-09--1984-06黑龙江大学物理系理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2015-03~现在,中国科学院大学,岗位教授
2005-12~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
2002-12~2005-12,东京大学生产技术研究所,研究员
2000-04~2002-12,日本 新能源产业技术综合开发机构(NEDO),NEDO Fellow
1997-04~2000-03,日本 日立公司中央研究所,研究员
1994-04~1997-03,日本 德岛大学电气电子工程系,工学博士
1993-06~1994-03,日本 德岛大学电气电子工程系,访问
1989-12~1993-05,哈尔滨工业大学应用物理系,讲师
1986-09~1989-03,哈尔滨工业大学应用物理系,理学硕士
1984-07~1989-11,哈尔滨工业大学应用物理系,助教
1980-09~1984-06,黑龙江大学物理系,理学学士

社会兼职

教授课程化合物半导体材料生长与表征


专利与奖励
奖励信息（1） 朱李月华优秀教师奖, , 部委级, 2016
（2） 中国科学院****, , 部委级, 2007
（3） NEDO Fellowship, 部委级, 2000
（4） 日本 德岛大学国际交流研究奖, 研究所（学校）, 1997

专利成果（ 1 ） 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: ZL 4.X
（ 2 ） 在磷化铟衬底上砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 8.6
（ 3 ） 磷化镓铝作为应力补偿层的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL 4.0
（ 4 ） 一种通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度稳定性的方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: ZL 3.X
（ 5 ） 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL .0
（ 6 ） 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL3.2
（ 7 ） 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 2.4
（ 8 ） 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 7.1
（ 9 ） 多模激光器及其多模调节方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 1.3
（ 10 ） Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器及其制备方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 1.9
（ 11 ） 基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 9.6
（ 12 ） 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: ZL 3.4
（ 13 ） 铝掺杂氧化锌透明导电薄膜、制备方法及薄膜太阳能电池, 2017, 第 2 作者, 专利号: 7.8
（ 14 ） 低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 6.X
（ 15 ） 一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 8.0


出版信息
发表论文（1）Multibit Optoelectronic Memory in Top-Floating-Gated van der Waals Heterostructures,Advanced Functional Materials,2019-07,第11作者
（2）Surface Modification of Al-Doped ZnO Transparent Conducive Thin Films with Polycrystalline Zinc Molybdenum Oxide,ACS Applied Materials & Interfaces,2019-06,第11作者
（3）Sol-gel derived Zn1-xMgxO :Al transparent conductive thin film and its application to thin film solar cells,Thin Solid Films,2019-05,第11作者
（4）Optically rough and physically flat TCO substrate formed by coating ZnO thin film on pyramid-patterned glass substrate,Solar Energy Materials and Solar Cells,2019-01,第11作者
（5）Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core-Shell Nanowires,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2018-09,第11作者
（6）Ultra-broadband tunable single and double-mode InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.65 μm,OPTICS LETTERS,2018-07,第11作者
（7）Influences of Ridge-Waveguide Shape and Width on Performances of InP-Based Coupled Ridge-Waveguide Laser Arrays,IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS,2018-07,第11作者
（8）Improved performance of 1.3-μm InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si doping,Applied Physics Letters,2018-07,第11作者
（9）1–2.9-THz Tunable Terahertz Beat Signal Generation Based on InAs/InP Quantum-Dot Mode-Locked Laser,IEEE Photonics Technology Letters,2018-05,第11作者
（10）Self-Flattened ZnO:Al Transparent Conductive Thin Films Derived by Sol–Gel Process,IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS,2018,第11作者
（11）Defect-free InAsSb nanowire arrays on Si substrates grown by selective-area metal-organic chemical vapor deposition,NANOTECHNOLOGY,2018,第11作者
（12）Widely Tunable InAs/InP Quantum-Dot External-Cavity Laser with Bent-Waveguide Structure,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第11作者
（13）InP-Based Coupled Ridge Waveguide Laser Arrays Emitting at 2.1 μm,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第11作者
（14）The effect of nanoscale steps on the self-catalyzed position-controlled InAs nanowire growth,JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING,2018,第11作者
（15）All-metal electrodes vertical gate-all-around device with self-catalyzed selective grown InAs NWs array,SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES,2018,第11作者
（16）Self-Catalyzed Growth of Vertical GaSb Nanowires on InAs Stems by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2017-06,第11作者
（17）Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2017-02,第11作者
（18）Continuously tunable mode-spacing of a dual-mode external cavity InAs/InP quantum dot laser,APPLIED OPTICS,2017,第11作者
（19）Switching from Negative to Positive Photoconductivity toward Intrinsic Photoelectric Response in InAs Nanowire,ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES,2017,第11作者
（20）Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires,Nano Letters,2016-11,第11作者
（21）2004-nm Ridge-Waveguide Distributed Feedback Lasers with InGaAs Multi-Quantum Wells,IEEE Photonic Technology Letters,2016-10,第11作者
（22）Ultrashort Pulse and High Power Mode-Locked Laser With Chirped InAs/InP Quantum Dot Active Layers,IEEE Photonic Technology Letters,2016-07,第11作者
（23）Single-section mode-locked 1.55-mu m InAs/InP quantum dot lasers grown by MOVPE,OPTICS COMMUNICATIONS,2016-07,第11作者
（24）Flat-topped ultrabroad stimulated emission from chirped InAs/InP quantum dot laser with spectral width of 92 nm,APPLIED PHYSICS LETTERS,2016-05,第11作者
（25）InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition,NANOTECHNOLOGY,2016-05,第11作者
（26）Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts,Nano Letters,2016-01,第11作者
（27）Large Signal Modulation Characteristics in the Transition Regime for Two-State Lasing Quantum Dot Lasers,CHINESE PHYSICS LETTERS,2016,第11作者
（28）Broadband tunable InAs/InP quantum dot external-cavity laser emitting around 1.55 um,OPTICS EXPRESS,2015,第11作者
（29）Dynamic characteristics of two-state lasing quantum dot lasers under large signal modulation,AIP ADVANCES,2015,第11作者
（30）Enhanced performance of tunable external-cavity 1.5 mu m InAs/InP quantum dot lasers using facet coating,APPLIED OPTICS,2015,第11作者
（31）High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy,OPTICS EXPRESS,2015,第11作者
（32）Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays,NANOTECHNOLOGY,2015,第11作者
（33）Self-catalyzed growth mechanism of InAs nanowires and growth of InAs/GaSb heterostructured nanowires on Si substrates,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2015,第11作者
（34）Two Different Growth Mechanisms for Au-Free InAsSb Nanowires Growth on Si Substrate,CRYSTAL GROWTH & DESIGN,2015,第11作者
（35）Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si (111) by MOCVD,Journal of Crystal Growth,2014,第11作者
（36）The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy,Journal of Crystal Growth,2014,第11作者
（37）Enhanced performance of quantum dot solar cells based on type II quantum dots,Journal of Applied Physics,2014,第11作者
（38）Three-region characteristic temperature in p-doped quantum dot lasers,Appl. Phys. Lett.,2014,第11作者
（39）Improved efficiency of InAs/GaAs quantum dots solar cells by Si-doping,Solar Energy Materials & Solar Cells,2013,第11作者
（40）InAs/InGaAsP/InP Quantum Dot Lasers Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition,Chinese Physics Letters,2013,第11作者
（41）Impact of double-cap procedure on the characteristics of InAs/InGaAsP/InP quantum dots grown by metal-organic chemical vapor deposition,Journal of Crystal Growth,2013,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） InP基2μm波段分布反馈量子阱激光器制备研究, 主持,国家级,2016-01--2019-12
（ 2 ） 新型高效量子点中间能带太阳能电池材料及器件研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 3 ） 低维半导体异质结构材料及激光器研究, 主持,国家级,2016-07--2019-12

参与会议（1）Significantly enhanced performances of 1.3-?m InAs/GaAs quantum dot lasers by direct Si-dopingTao Yang2018-10-03
（2）Ultra-broadband Tunable External Cavity Laser with Chirped Multiple InAs/InP Quantum Dot Active LayersTao Yang2018-09-12
（3）Improved performance of 1.3-?m direct Si-doped InAs/GaAs quantum dot laser2018-09-07
（4）InAs(Sb)/GaSb core-shell nanowire arrays grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor depositionTao Yang2018-06-03
（5）Ultra-broadband Tunable InAs/InP Quantum Dot External Cavity Laser2018-05-29
（6）Radial InAs/GaSb heterostructure nanowires on Si substrates grown by metal-organic chemical vapor deposition2017-11-26
（7）High Performance InP-based Ridge-Waveguide Distributed Feedback Lasers with InGaAs Multi-Quantum Wells emitting at 2004 nm2017-10-01
（8）Experimental and Theoretical Investigation of Large Signal Modulation in Two-state Lasing Quantum Dot Lasers2017-08-21
（9）Selective-area Growth of Defect-free InAsSb Nanowires Arrays on Si Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition2017-08-21


合作情况
项目协作单位

指导学生