基本信息
杨少延男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
085204-材料工程
085208-电子与通信工程

招生方向宽禁带半导体材料、器件及物理研究
大失配异质外延衬底制备技术研究
半导体光电器件设计制备研究


教育背景2002-03--2005-10中国科学院半导体研究所在职博士/博士学位
1996-09--1999-07吉林大学 材料科学与工程系硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07哈尔滨师范大学物理系大学本科学生/或学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2013-01~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所,副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所,在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所,助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所,研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系,硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系,大学本科学生/或学士学位

社会兼职

教授课程半导体材料
材料的气相沉积制备技术
半导体材料测试与分析
薄膜材料制备技术
宽禁带半导体材料大失配外延技术


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL1.1
（ 2 ） 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: 7.3
（ 3 ） 一种利用非极性ZnO缓冲层生长高质量非极性InN薄膜的制备方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: 7.3
（ 4 ） 氮化铝单晶材料制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 2.6
（ 5 ） 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 2.2
（ 6 ） 一种非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 1.8
（ 7 ） 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法, 2012, 第 5 作者, 专利号: 4.0
（ 8 ） 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 9.1
（ 9 ） 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 5.1
（ 10 ） 一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 5.5
（ 11 ） 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 8.8
（ 12 ） 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 5
（ 13 ） 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 6
（ 14 ） AlN单晶衬底生产设备及其使用方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 9.X
（ 15 ） 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 9.3
（ 16 ） AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 5.9
（ 17 ） 一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 8.8
（ 18 ） 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: 0.5
（ 19 ） 气相沉积设备的进气喷淋头, 2019, 第 2 作者, 专利号: 8.8
（ 20 ） 一种氢化物气相外延设备的反应室结构, 2019, 第 3 作者, 专利号: 7.6
（ 21 ） 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 3.4
（ 22 ） AlN基板高效散热HEMT器件及其制备方法, 2019, 第 5 作者, 专利号: 5.9


出版信息
发表论文（1）Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors,Semiconductor Science and Technology 34(12),125006 (2019),2019-10,第5作者
（2）Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structure,Mater. Res. Express, 6 (2019) 0850c8,2019-06,第6作者
（3）Hydride vapor phase epitaxy for gallium nitride substrate,J. Semicond., 2019, 40(7),2019-05,第3作者
（4）三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟,真空,2019,第5作者
（5）Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD,Physica Status Solidi (a),2019,第5作者
（6）Structural and optical properties of semi-polar (11–22) InGaN/GaN green light-emitting diode structure,Appl. Phys. Lett. 112, 052105 (2018),2018,第6作者
（7）Measurement of semi-polar (11–22) plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,Applied Physics A (2018) 124:130,2018,第7作者
（8）The Residual Stress and Al Incorporation of AlGaN Epilayers by Metalorganic C hemical Vapor Deposition,J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7484-7488 (2018),2018,第7作者
（9）Red Emission of InGaN/GaN Multiple-Quantum-Well Light-Emitting Diode Structures With Indium-Rich Clusters,Phys. Status Solidi A, 2018, **,2018,第6作者
（10）Comparative Investigation of Semi polar (11-22) GaN Layers on m-Plane Sapphire with Different Nucleation Layers,J. Nanosci. Nanotechnol., 18, 7446-7450 (2018),2018,第5作者
（11）Anisotropically biaxial strain in non-polar (11-20) plane InxGa1?xN/GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping,Scientific Reports,7, 4497 (2017),2017,第6作者
（12）Performance enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by inserting the last quantum well into electron blocking layer,Superlattices and Microstructures , 110, 324-329 (2017),2017,第6作者
（13）Growth and characterization of AlN epilayers using pulsed metal organic chemical vapor deposition,Chin. Phys. B , 26, 078102 (2017),2017,第7作者
（14）Epitaxy of III-Nitrides Based on Two-Dimensional Materials,Acta Chim. Sinica, 75, 271—279（2017）,2017,第11作者
（15）Morphology Controlled Fabrication of InN Nanowires on Brass Substrates,Nanomaterials, 2016, 6:195,2016,第5作者
（16）Study of the aluminum incorporation efficiency in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE,Chinese Physics. B, 2016, 25(4):048105,2016,第5作者
（17）Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11 2) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers,Scientific Reports, 2016,6:20787,2016,第3作者
（18）The immiscibility of InAlN ternary alloy,Scientific Reports,2016,25(6):26600,2016,第9作者
（19）Growth of Well-Aligned InN Nanorods on Amorphous Glass Substrates,Nanoscale Research Letters，11，270 (2016),2016,第11作者
（20）Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66， 116(2015),2015,第11作者
（21）Morphology and composition controlled growth of polar c-axis and nonpolar m-axis well-aligned ternary III-nitride nanotube arrays,Nanoscale, 7, 16481–16492(2015),2015,第11作者
（22） Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE,Scientific Reports, 4 , 6416(2014),2014,第11作者
（23）Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer,CrystEngComm, 16, 7525-7528 (2014),2014,第11作者
（24）Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy, RSC Adv., 4, 54902(2014),2014,第11作者
（25）Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1？xN/GaN heterostructures,Semicond. Sci. Technol. ，29，045015 (2014),2014,第3作者
（26）Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces,Journal of Applied Physics, 115, 193704 (2014),2014,第11作者
（27）Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures,Journal of Applied Physics, 115, 043702 (2014),2014,第11作者
（28）Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates,Journal of Crystal Growth，389，1 (2014),2014,第11作者
（29）Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,Phys. Status Solidi B,251(4), 788(2014),2014,第11作者
（30）Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures,J. Appl. Phys. 115, 043702 (2014),2014,第11作者
（31）Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors,Appl. Phys. Lett. 103, 232109 (2013),2013,第11作者
（32）Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60(6), 2077-2079(2013),2013,第11作者
（33）Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,,Phys. Status Solidi B, 1–4 (2013) / DOI 10.1002/pssb.,2013,第11作者
（34）X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates,APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 132104 (2013),2013,第11作者
（35）dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells,Physica E, 52, 150 (2013),2013,第11作者
（36）Scattering due to large cluster embedded in quantum wells,Applied Physics Letters 102, 052105 (2013),2013,第11作者
（37）A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure,IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011),2011,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 主持,国家级,2013-01--2015-12
（ 2 ） 自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与,国家级,2011-08--2015-08
（ 3 ） 大尺寸Si衬底GaN基LED外延生长、芯片制备及封装技术, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 4 ） 垂直结构氮化镓电力电子器件研制中的关键材料制备工艺 研究, 主持,国家级,2018-01--2021-12
（ 5 ） 大 尺寸氢化物气相外延设备技术及外 延, 主持,国家级,2017-07--2020-12
（ 6 ） 过渡族金属及其化合物薄膜材料制备研究, 主持,院级,2018-01--2018-12
（ 7 ） 过渡族金属&半导体先进材料联合实验室, 主持,院级,2018-01--2020-12
（ 8 ） 空间太阳能科学技术联合实验室, 主持,院级,2018-03--2020-12

参与会议（1）中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备第三代半导体材料加工技术及装备研讨会杨少延2019-10-23
（2）垂直流HVPE设备反应室尺寸放大流场优化设计研究第十六届全国固体薄膜学术会议杨少延*，李成明*，胡君*，魏鸿源，李辉杰，王占国2018-12-11
（3）石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛杨少延2015-05-06
（4）超宽禁带氮化物半导体材料在空间太阳能发电技术中的作用与挑战2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛杨少延2014-05-30
（5）硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛杨少延2013-05-16


合作情况
项目协作单位

指导学生