基本信息
杨晋玲 女 博导 半导体研究所
电子邮件：jlyang@semi.ac.cn
通信地址：半导体所
邮政编码：100083
部门/实验室：集成技术中心
研究领域近期内主要开展：
（1）射频微机电器件研究
（2）MEMS/NEMS封装技术的研究
（3）微纳器件可靠性研究，等

招生信息招生专业：
半导体器件与物理
微电子与固体电子学
生物化学
材料

研究方向：

微机电系统器件

教育背景
学历-- 研究生

学位中国科学院物理研究所理学博士学位

工作经历工作经历：
1997年在中国科学院物理研究所获博士学位。
1997年-2004年，先后在日本东北大学的Venture Business Laboratory、德国弗莱堡大学的Institute for Microsystem Technology、瑞士巴塞尔大学和IBM Zurich Research Laboratory工作。
2004年，入选中国科学院"****"，加入中科院半导体研究所。

主要研究成果：
主要从事微纳器件研制和表征，如超小悬臂梁的制备及其在超快和超敏感的原子力显微镜中的应用、MEMS薄膜的可靠性研究。取得的主要学术成就：大规模制备了具有优良机械性能的超薄单晶硅力传感器，澄清了其机械能量损失机制，使AFM的扫描速度和力分辨率分别提高至少10倍和5倍。在国际上首次将吹曲测试（Bulge Test）扩展到了薄膜的断裂性能表征，适用于任何薄膜的残余应力、杨氏模量和断裂应力分析。
组建了国内首台吹曲测试系统，对多种MEMS/NEMS薄膜材料的力学性能和可靠性进行了表征。组建了国内首台宽频谱的射频微纳谐振器件的频谱特性表征系统。成功研制了频率达400 MHz的圆盘结构谐振子。



出版信息近年来代表性文章：
1. Y. F. Liu，J. Xie，M. L. Zhang，J. L. Yang，and F. H. Yang,
“An effective approach for restraining galvanic corrosion of polycrystalline
silicon by hydrofluoric acid-based solutions”,
IEEE J. Microelectromech. Syst. 20 (2) : 460 (2011）.
2. Y. F. Zhu, F. X. Zhang, J. L. Yang, H. Y. Zheng, F. H. Yang，
“Stability of mechanical properties for submicrometer single-crystal silicon
cantilever under cyclic load”,
IEEE J. Microelectromech. Syst. 20 (1): 178 (2011).
3. R. R. Gruter, Z. Khan, R. Paxman, J. Ndieyira, B. Dueck, B. Bircher, J.
L.Yang, U. Drechsler, M. despont, R. Mckendry, and B. W. Hoogenboom，
“Distangling mechanical and mass effects on nanomechanical
resonator”，
Appl. Phys. Lett. 96, 023113 (2010).
4. W. Zhou, J. L. Yang, G. S. Sun, X. F. Liu, A. Ji, F. H. Yang, Y. D. Yu, and J. M.
Li,
“Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long
rectangular membrane”,
IEEE J. Microelectromech. Syst. 17 (2): 453 (2008).
5. J. L. Yang, J. Gaspar, and O. Paul,
“Fracture properties of LPCVD silicon nitride and thermal oxide thin films
from the load-deflection of long Si3N4 and SiO2 Membranes”,
IEEE J. Microelectromech. Syst. 17, 1120 (2008).
6. J. L. Yang, M. Despont, U. Drechsler, B. W. Hoogenboom, H. J. Hug, P.
Vettiger, and A. Engel,
“Miniaturized single crystal silicon cantilevers for scanning force
microscopy”,
Appl. Phys. Lett. 86, 134101 (2005).
7. X. Mao, J. L. Yang, A. Ji, and F. H. Yang，
Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist
on glass substrate,
IEEE MEMS 2012, Paris, Jan. 29 – Feb. 2, 2012, accepted.
8. J. Xie, Y. F. Liu, H. Zhao, J. L.Yang, and F. H. Yang,
“Reliable low-cost fabrication and characterization methods for
micromechanical disk resonators”,
Tech. Digest, Transducers’ 2011,Beijing, China, June 6 – 9, pp. 2462,
2011.
9. J. Xie, Y. F. Liu, M. L. Zhang, J. L. Yang, and F. H. Yang,
“A simple method to effectively restrain electrochemical corrosion of
polycrystalline silicon layers by HF-based solutions”,
IEEE MEMS 2011, Mexico, Jan. 23 – 27, pp. 205, 2011.


科研活动

指导学生已指导学生
周威博士研究生080903-微电子学与固体电子学
唐龙娟硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
张逢新硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘云飞博士研究生080903-微电子学与固体电子学
解婧博士研究生080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
郑海洋硕士研究生430110-集成电路工程
朱银芳博士研究生080903-微电子学与固体电子学
魏伟伟硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
骆伟硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
方志强硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王晶晶硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
吕兴东硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵晖博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王帅鹏博士研究生080903-微电子学与固体电子学