基本信息
杨建荣男博导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： yangjr@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 周家嘴路2001弄16号401室
邮政编码： 200092

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向化合物半导体材料，光电探测器
半导体


教育背景
学历
学位

工作经历
工作简历
社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 推扫成像型籴镉汞红外焦平面组件关键技术及其航天应用, 二等奖, 国家级, 2015
（2） 航天长波红外焦平面组件技术, 一等奖, 省级, 2014
（3） 2000元中波红外线列焦平面组件, 二等奖, 省级, 2006
（4） 32×32长波红外焦平面及HgCdTe分子束外延材料, 一等奖, 省级, 1997

专利成果

出版信息
发表论文（1）碲镉汞材料中Au原子迁移和浓度分布的特性,Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials,Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2015,第2作者
（2）富碲和富镉沉淀相缺陷对碲镉汞薄膜表面缺陷的影响,Influences of Te-Rich and Cd-Rich Precipitates of CdZnTe,Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2014,第4作者
（3）富镉热处理对碲锌镉材料中缺陷的影响,Influence of Cd-rich Annealing on Defects in Te-rich CdZnTe,Journal of ELECTRONIC MATERIALS,2014,第2作者
（4）(111)B碲锌镉晶体中沉淀物缺陷形成的表面腐蚀坑,Etch pits of precipitates in CdZnTe crystals on (111)B surface,J. cryst, growth,2012,第4作者
（5）腐蚀坑所揭示的碲锌镉材料中位错的特性,Characteristics of the dislocations in CdZnTe crystals revealed by etch pits,J.cryst. growth,2011,第11作者
（6）碲锌镉材料腐蚀坑及其特性研究,红外与激光工程,2010,第11作者
（7）碲镉汞富碲垂直液相外延技术,红外与毫米波学报,2009,第1作者
（8）Traces of HgCdTe defects as revealed by etch pits ,J. Electronic Materials,2008,第1作者

发表著作（ 1 ） 碲镉汞材料物理与器件,Physics and Technology of HgCdTe Materials,国防工业出版社,2013-11,第1作者


科研活动
科研项目
参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生