基本信息
闫建昌男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： yanjc@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
邮政编码： 100083
部门/实验室：半导体照明研发中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向氮化物半导体材料与器件
GaN基LED及激光器
低维结构材料与器件


教育背景2004-09--2009-07中国科学院半导体研究所工学博士
2000-09--2004-07清华大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2018-01~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所,副研究员
2009-07~2012-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2004-09~2009-07,中国科学院半导体研究所,工学博士
2000-09~2004-07,清华大学,学士学位

社会兼职

教授课程第三代半导体材料及应用


专利与奖励
奖励信息（1） 国家科学技术进步奖, 二等奖, 国家级, 2015
（2） 北京市科学技术奖一等奖, 一等奖, 省级, 2012

专利成果（ 1 ） 紫外发光二极管器件的制备方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 5.3
（ 2 ） 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2016, 第 1 作者, 专利号: 1.5
（ 3 ） 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 1.8


出版信息
发表论文（1）Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template,Optics Express,2019,第11作者
（2）Exfoliation of AlN film using two-dimensional multilayer hexagonal BN for deep-ultraviolet light-emitting,Applied Physics Express,2019,第11作者
（3）Direct van der Waals Epitaxy of Crack-Free AlN Thin Film on Epitaxial WS2,materials,2018,第11作者
（4）Enhancing the light extraction of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes in the nanoscale,Journal of Nanophotonics,2018,第11作者
（5）Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching,Journal of Nanophotonics,2018,第11作者
（6）Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition,CrystEngComm,2017,第11作者
（7）Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission,IEEE Photonics Journal,2016,第11作者
（8）Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures,P hys. Status Solidi C,2016,第1作者
（9）282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates,Applied Physics Letters,2013,第11作者
（10）Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD,Physica Status Solidi C,2012,第2作者
（11）Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition,Physica Status Solidi C,2011,第1作者
（12）Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure,Applied Physics Letters,2010,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） AlGaN基紫外激光二极管研究, 主持,国家级,2014-01--2017-12
（ 2 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 参与,国家级,2016-07--2021-06
（ 3 ） 北京市科技新星计划项目, 主持,省级,2018-01--2020-12
（ 4 ） 基于III族氮化物半导体深紫外发光材料的微盘激光器研究, 主持,国家级,2019-01--2019-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生