基本信息
徐波男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： srex@semi.ac.cn
通信地址： 半导体所2＃233
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用
半导体材料高端制造与集成
硅基III-V族光电材料制备


教育背景1989-08--1992-07中国科学院半导体研究所研究生，硕士
1984-09--1989-07中国科技大学本科，学士

学历
学位

工作经历
工作简历1992-08~现在,中国科学院半导体研究所,科研人员
1989-08~1992-07,中国科学院半导体研究所,研究生，硕士
1984-09~1989-07,中国科技大学,本科，学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 **.9
（ 2 ） InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2010 1 **.7
（ 3 ） 用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构, 2012, 第 3 作者, 专利号: ZL 2009 1 **.3
（ 4 ） 一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 2009 1 **.8
（ 5 ） 制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: 2013 1 **.6
（ 6 ） 一种硅基GaAs单晶薄膜及其制备方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 2016 1 **.0
（ 7 ） 窄脊半导体器件的制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 2017 1 **.X


出版信息
发表论文（1）Enhancement of excited-state emission of InAs/GaAs quantum dots with large-period photonic crystal,Journal of Infrared and Millimeter Waves,2019-10,第2作者
（2）InAs-based interband cascade lasers at 4.0 μm operating at room temperature,Journal of Semiconductors,2018-11,第4作者
（3）Atomic-scale understanding of high thermal stability of the Mo/CoFeB/MgO spin injector for spin-injection in remanence,NANOSCALE,2018-06,第8作者
（4）Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation-dissolution-regrowth method,Chinese Physics B,2017-06,第11作者
（5）Four-step method for growing high-quality GaAs films on Si substrate by molecular beam epitaxy,Journal of Inorganic Materials,2016-11,第11作者
（6）Fabrication of low-density long-wavelength InAs quantum dots using a formation-dissolution-regrowth method,Chinese Physics Letters,2013,第3作者
（7）Cavity-mode calculation of L3 photonic crystal slab using the effective index perturbation method,Optical Review,2013,第4作者
（8）Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser,Acta Physica Sinica,2012,第2作者
（9）Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled In As quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities,Microelectronic Engineering,2012,第2作者
（10）Study on properties of the H1 photonic crystal slab cavity using the effective index perturbation method,Acta Physica Sinica,2012,第3作者
（11）Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate,Journal of Applied Physics,2011,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 无制冷高速直调量子点激光器研究, 参与,国家级,2016-07--2019-12
（ 2 ） 硅基III-V族半导体材料外延及激光器制备, 参与,国家级,2019-08--2023-07

参与会议（1）Epitaxially Grown 1.3-Micron Si-based InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers第二十届国际分子束外延学术会议Tian Yu, Guan-qing Yang, Bo Xu, Ping Liang, Jin-song Xia, Ying Hu, Yong-hai Chen, Zhan-guo Wang2018-09-02
（2）MBE生长法制备的Si基1.3微米InAs/GaAs量子点激光器第十二届全国分子束外延学术会议杨冠卿，徐波，梁平，夏金松，胡颖，吕尊仁，于天，刘峰奇，杨涛，陈涌海，王占国2017-08-15
（3）外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会杨冠卿，徐波，梁平，吕尊仁，胡颖，于天，刘峰奇，杨涛，陈涌海，王占国2017-05-26


合作情况
项目协作单位

指导学生