基本信息
吴振华男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： wuzhenhua@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号，微电子研究所
邮政编码： 100029
部门/实验室：先导中心
研究领域先进技术节点CMOS关键工艺与器件架构，超陡亚阈值摆幅低功耗器件，电子自旋/能谷相关新型量子器件，纳米器件中的热电效应与探测，先进TCAD仿真技术与应用。

招生信息
每年计划招收硕士研究生，包括计划转博的硕士研究生1~2名。同时欢迎优秀本科生进组开展科研实习。

招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学

招生方向FinFET, Nanowire FET, 新原理低功耗CMOS架构与关键技术
低维介观系统中电荷/自旋量子输运特性
深度学习方法与半导体器件TCAD仿真


教育背景2006-09--2011-07中国科学院半导体研究所博士
2002-09--2006-07南京大学学士


获奖及荣誉2016年度，中国科学院率先行动****“青年俊才”项目。2016年度，张家港市第四批领军人才“重点推荐特别优秀项目”。



奖励信息

出版信息
发表论文（1）Near-ideal subthreshold swing MoS2 backgate transistors with an optimized ultrathin HfO2 dielectric layer,Nanotechnology,2019,第4作者
（2）FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2019,第10作者
（3）Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate,IEEE Journal of the Electron Devices Society,2019,第7作者
（4）Valley Zeeman splitting of monolayer MoS2 probed by low-field magnetic circular dichroism spectroscopy at room temperature,Appl. Phys. Lett.,2018,第6作者
（5）Fano Resonances in Bilayer Phosphorene Nanoring,Nanotechnology,2018,第2作者
（6）Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs with Excellent Short Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process,IEEE Electron Device Letters,2018,第8作者
（7）Tuning electrical and optical anisotropy of a monolayer black phosphorus magnetic superlattice,Nanotechnology,2018,通讯作者
（8）Broad-spectrum enhanced absorption of graphene-molybdenum disulfide photovoltaic cells in Metal-Mirror Microcavity,Nanotechnology,2018,通讯作者
（9）Spin-polarized charge transport in HgTe/CdTe quantum well topological insulator under a ferromagnetic metal strip,Solid State Communications,2018,通讯作者
（10）Investigation for the Feasibility of High-Mobility Channel in 3D NAND Memory,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,第3作者
（11）Universal absorption of two-dimensional materials within k ·pmethod,PhysicsLettersA,2018,第3作者
（12）Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si0.45Ge0.55, Ge Gate-All-Around NSFET for 5 nm Technology Node,IEEE Journal of the Electron Devices Society,2018,通讯作者
（13）Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,通讯作者
（14）Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al2O3/HfO2/Al2O3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and HighWork Function Metal Gate,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,第2作者
（15）The Effect of Thermal Treatment Induced Performance Improvement for Charge Trapping Memory with Al2O3/(HfO2)0.9(Al2O3)0.1/Al2O3 Multilayer Structure,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,第2作者
（16）Simulations of VNW-FETs with Adjustable Spacer-Like Negative Capacitors Based on Experimental Da,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,第8作者
（17）Greatly enhanced light emission of MoS2 using photonic crystal heterojunction,Scientific Reports,2017,第3作者
（18）Tuning of few-electron states and optical absorption anisotropy in GaAs quantum rings,Phys. Chem. Chem. Phys.,2017,通讯作者
（19）Improved Operation Characteristics for Nonvolatile Charge-Trapping Memory Capacitors with High-k Dielectrics and SiGe Epitaxial Substrates,Chin. Phys. Lett.,2017,第5作者
（20）Rashba spin-orbit coupling in graphene monolayer coated by periodic magnetic stripes,Scientific Reports,2017,通讯作者
（21）Optimized spin injection efficiency and spin MOSFET operation based on low barrier FM/I/n-Si tunnel contact,Applied Physics Express,2017,第2作者
（22）Spin-polarized Charge Trapping Cell based on a Topological Insulator Quantum Dot,RSC Advances,2017,通讯作者
（23）Aharonov-Bohm effect in monolayer phosphorene nanorings,Physical Review B,2017,通讯作者
（24）In0.53Ga0.47As-Based nMOSFET Design for Low Standby Power Applications,IEEE Transactions on Electron Devices,2015,通讯作者
（25）The shear mode of multilayer graphene,Nature Materials,2012,第4作者
（26）Charge pumping in monolayer graphene driven by a series of time-periodic potentials,Phys. Lett. A,2012,通讯作者
（27）Spin-related tunneling through a nanostructured electric-magnetic barrier on the surface of a topological insulator,Nanoscale Research Letters,2012,通讯作者
（28）Valley-Dependent Brewster Angles and Goos-Hanchen Effect in Strained Graphene,Physical Review Letters,2011,第1作者
（29）Spin and momentum filtering of electrons on the surface of a topological insulator,Applied Physics Letters,2011,第1作者
（30）Electronic fiber in graphene,Applied Physics Letters,2011,通讯作者
（31）Electron tunneling through double magnetic barriers on the surface of a topological insulator,Physical Review B,2010,第1作者
（32）Quantum tunneling through graphene nanorings,Nanotechnology,2010,第1作者
（33）Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons,Nanotechnology,2009,第2作者
（34）The Hartman effect in graphene,Journal of Applied Physics,2009,第1作者

发表著作（1）<科学>杂志精选论文,科学出版社,2008-05,第5作者

专利成果（ 1 ） Semiconductor devices having tapered active regions, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9,634,092
（ 2 ） Semiconductor devices including field effect transistors and methods of forming the same, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9,679,975
（ 3 ） 一种垂直腔面激光器及其制作方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: CNA

科研活动
科研项目（ 1 ） 高迁移率二维料铟硒及其异质结构的物性、量子输运性质调控和器件应用研究, 主持,国家级,2018-01--2021-12
（ 2 ） 半导体二维原子晶体材料的制备与器件特性, 参与,国家级,2016-07--2021-06
（ 3 ） 亚10纳米工艺节点CMOS架构材料可行性方案的探索研究, 主持,市地级,2016-06--2018-12
（ 4 ） 新型二维材料纳米微结构中电荷输运的介观调控, 主持,市地级,2016-06--2017-07
（ 5 ） 亚10纳米工艺节点CMOS path finding PDK 先导研究, 主持,部委级,2016-06--2018-12
（ 6 ） 10纳米 FinFET path finding 研究, 主持,国家级,2016-06--2020-12
（ 7 ） 亚5纳米工艺节点超低功耗高性能半导体器件探索研究, 主持,部委级,2019-09--2021-08
（ 8 ） 超陡亚阈值摆幅低功耗新原理器件, 主持,省级,2018-08--2019-08