基本信息
吴旦昱男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： wudanyu@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向超高速数模混合电路设计，高性能数据转换电路设计（ADC/DAC），微波集成电路


教育背景2006-09--2011-07中国科学院微电子研究所博士
2002-09--2006-07华中科技大学本科/学士

学历
学位

工作经历
工作简历2016-01~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员
2011-07~2015-12,中国科学院微电子研究所,助理研究员
2006-09~2011-07,中国科学院微电子研究所,博士
2002-09~2006-07,华中科技大学,本科/学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 中科院微电子研究所十佳先进工作者, 研究所（学校）, 2016

专利成果

出版信息
发表论文（1）A 10-GS/s 8-bit SiGe ADC with isolated 4x4 analog input multiplexer,IEEE International Symposium on Circuits and Systems,2019,第1作者
（2）A 10-GS/s 8-bit 4-way interleaved Folding ADC in 0.18um SiGe-BiCMOS,IEICE Electronics Express,2019,第2作者
（3）A 1GS/s 12-bit Pipelined Folding ADC with a novel encoding algorithm,IEICE Electronics Express,2019,第2作者
（4）An 8 GSps 14 bit RF DAC With IM3<-62 dBc up to 3.6 GHz,IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs,2019,第3作者
（5）A 5GS/s 8-bit ADC with Self-Calibration in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology,Electronics,2019,第5作者
（6）A 2.6 GS/s 8-Bit Time-Interleaved SAR ADC in 55 nm CMOS Technology,Electronics,2019,第6作者
（7）A 3GS/s 12-bit Current-Steering Digital-to-Analog Converter (DAC) in 55 nm CMOS Technology,Electronics,2019,第4作者
（8）A 30GS/s 6bit SiGe ADC with input bandwidth over 18GHz and full data rate interface,IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting,2016,第1作者
（9）A 4GS/s 8bit ADC Fabricated in 0.35um SiGeBiCMOS Technology,IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting,2013,第1作者
（10）An ultra-high-speed direct digital synthesizer with nonlinear DAC and wave correction ROM,Analog Integrated Circuits and Signal Processing,2012,第1作者
（11）A 4 GS/s 4 bit ADC with 3.8GHz analog bandwidth in GaAs HBT technology,Journal of Semiconductor,2011,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 5G 高性能基站A/D、D/A 转换器试验样片研发及系统级验证, 参与,国家级,2016-01--2018-12
（ 2 ） 高速宽频A/D转换器, 主持,国家级,2017-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生