基本信息
文林男中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： wenlin@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码： 830011
部门/实验室：辐射物理研究室
研究领域固体辐射物理


招生信息
硕士研究生


招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向光电器件辐射效应


教育背景2011-09--2015-07中国科学院大学工学博士
2005-09--2008-06新疆大学理学硕士
2001-09--2005-07新疆大学理学学士

学历博士研究生

学位工学博士

工作经历
2014.10~至今，中国科学院新疆理化技术研究所，副研究员
2008.7~2014.10，中国科学院新疆理化技术研究所，助理研究员


工作简历2014-10~现在,中国科学院新疆理化技术研究所,副研究员
2008-07~2014-10,中国科学院新疆理化技术研究所,助理研究员


教授课程半导体器件辐射效应表征方法


专利与奖励
奖励信息（1） 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2016
（2） 新疆维吾尔自治区科学技术进步奖, 一等奖, 省级, 2015

专利成果（ 1 ） 一种基于热像素的电荷耦合 器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 6.9
（ 2 ） 用于焦平面成像器 件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 9.6
（ 3 ） 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 6.X
（ 4 ） 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 7.5
（ 5 ） 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 7.7
（ 6 ） 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 6.2
（ 7 ） 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 5.3


出版信息
发表论文（1）Electron-beam-irradiation-induced crystallization of amorphous solid phase change materials,Japanese Journal of Applied Physics,2018,第3作者
（2）γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制,发光学报,2018,第1作者
（3）基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法,现代应用物理,2017,第2作者
（4）CMOS图像传感器饱和输出电压的辐照效应及损伤机理研究,现代应用物理,2017,第2作者
（5）基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,现代应用物理,2017,第1作者
（6）Degradation mechanism of dark signal of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton,Young Scientists Forum 2017,2017,第1作者
（7）电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究,发光学报,2016,第2作者
（8）质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析,Analysis of ionizing and department damage mechanism in scientific CCD injiected by proton,物理学报,2015,第1作者
（9）质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析,Effects of proton and neutron irradiation on dark signal of charge-coupled device,物理学报,2015,通讯作者
（10）质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响,红外与激光工程,2015,第2作者
（11）深亚微米N沟 道MOS晶体管的总剂量效应,微电子学,2015,第1作者
（12）电子辐照深 亚微米MOS晶体管的总剂量效应,微电子学,2015,第1作者

发表著作

科研活动

科研项目（ 1 ） 质子辐照导致CCD热像素产生的机理及抑制方法研究, 主持,部委级,2016-01--2020-12
（ 2 ） 空间辐射环境高能粒子与卫星元器件相互作用机理研究, 主持,部委级,2016-01--2018-12
（ 3 ） CMOS图像传感器单粒子效应, 参与,国家级,2017-01--2018-12
（ 4 ） 新型元器件位移损伤试验评估及验证, 参与,国家级,2016-01--2020-12
（ 5 ） CCD与集成电路电离辐射效应研究, 主持,研究所（学校）,2017-01--2018-12

参与会议（1）Proton induced Displacement damage effects and mechanism on CCD2017-07-16
（2）Dark signal degradation mechanism of CCD exposed to 3MeV and 10MeV proton2015 ICREED电子元器件辐射效应国际会议2015-10-19
（3）质子辐射导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析2014 NED核电子学与探测技术会议2014-08-15


合作情况
项目协作单位

指导学生