基本信息
魏学成男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： xcwei@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
部门/实验室：半导体照明研发中心
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向AlN单晶制备技术，紫外LED应用研究，材料测试表征


教育背景2007-09--中国科学院半导体研究所博士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2007-09~现在,中国科学院半导体研究所,博士学位
2007-06~现在,中国科学院半导体研究所,副研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 7.8
（ 2 ） 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 5.7
（ 3 ） 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: 0.3
（ 4 ） 一种测量LED内量子效率的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 6.2
（ 5 ） 一种控制半导体LED外延片内应力的装置, 2016, 第 2 作者, 专利号: 7.X
（ 6 ） 一种杀菌消毒的装置, 2017, 第 3 作者, 专利号: 8.4
（ 7 ） 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2017, 第 4 作者, 专利号: 0.6
（ 8 ） 一种具有紫外杀菌消毒功能的水表, 2016, 第 4 作者, 专利号: 1.5
（ 9 ） 一种杀菌消毒的装置, 2016, 第 3 作者, 专利号: 4.8
（ 10 ） 芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 1.8
（ 11 ） 基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统, 2018, 第 4 作者, 专利号: 1.7
（ 12 ） 显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法, 2018, 第 3 作者, 专利号: 7.6
（ 13 ） 提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜, 2018, 第 3 作者, 专利号: 0.0
（ 14 ） 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 4.0
（ 15 ） 基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法, 2019, 第 3 作者, 专利号: 4.0


出版信息
发表论文（1）Investigation of pattern-orientation on stress in GaN grown on Si(111) substrate in lateral confinement epitaxy,Superlattices and Microstructures,2018,第5作者
（2）Improved crystalline quality of Al-rich n-AlGaN by regrowth on nanoporous template fabricated by electrochemical etching,Journal of Nanophotonics,2018,第9作者
（3）Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition,CRYSTENGCOMM,2017,第8作者
（4）六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹,光子学报,2017,第8作者
（5）Recombination Dynamics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells With Different Well Thickness,MRS Advances,2016,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究, 主持,国家级,2018-05--2021-04
（ 2 ） 材料生长, 主持,国家级,2016-07--2020-06
（ 3 ） 基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究, 主持,国家级,2017-01--2020-12
（ 4 ） 高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制, 参与,国家级,2016-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生