基本信息
王占国男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： zgwang@red.semi.ac.cn
通信地址： 中关村黄庄小区801乙楼901
邮政编码： 100190
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件

招生方向半导体材料及材料物理,低维半导体微结构材料和量子器件
宽禁带半导体材料、器件和物理
宽禁带半导体材料生长制备和SiC电力电子器件


教育背景
学历
学位

工作经历
工作简历1994-06~1994-07,英国Surrey大学电电气工程系,短期访问教授（中英科学合作项目）
1991-05~1991-07,瑞典隆德大学固体物理系,访问教授
1984-01~现在,中科院半导体研究所,助研、研究员、研究室主任、副所长
1980-10~1983-11,瑞典隆德大学固体物理系,访问
1962-09~1980-10,中国科学院半导体研究所,实习研究员、助研

社会兼职2007-10-01-2013-07-01,国家973计划新材料技术领域咨询委员会, 组长
2005-11-30-2015-07-02,中国电子学会半导体和集成技术分会, 主任委员
2005-05-01-今,天津市人民政府特聘专家, 特聘专家
2003-05-01-2008-10-08,中国材料研究学会, 副理事长
1991-04-30-2000-12-31,国家863计划新材料领域专家委员会, 委员、常委、功能专家组组长


教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 自组织生长量子点激光材料和器件研究, 二等奖, 国家级, 2001
（2） “何梁何利科学与技术进步奖”，“宝洁优秀研究生导师奖”, , 其他, 2001
（3） 自组织生长量子点激光材料和器件研究, 一等奖, 部委级, 2000

专利成果（ 1 ） 一种InAs量子点成核的方法, 2010, 第 5 作者, 专利号: ZL 2008 1 **.9
（ 2 ） 一只自组织量子点为有源区的超辐射发光管, 2005, 第 2 作者, 专利号: ZL **.3
（ 3 ） 一种可控量子点和量子环的方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL。1.6
（ 4 ） 一种半导体晶片表面损伤层的测量方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL73.6
（ 5 ） 硅基薄膜叠层太阳能电池隧道结的制作方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: ZL。0.8


出版信息
发表论文（1）Quantum dot quantum cascade photodetector using a laser structure,CHINESE OPTICS LETTERS,2017,第9作者
（2）Anisotropically biaxial strain in non-polar (112–0) plane InxGa1?xN/ GaN layers investigated by X-ray reciprocal space mapping,Scientific Reports,2017,第9作者
（3）Stable single-mode operation of a distributed feedback quantum cascade laser integrated with a distributed Bragg reflector,Photonics Research,2017,第10作者
（4）半导体材料与器件技术新进展。,Progress of Semiconductor Materials and Devices,高技术发展报告，P36-42,2008,第1作者
（5）高性能量子点超辐射发光管,High-performance quantum-dot superluminescent diodes, IEEE Photonics Technology Letters 16 (1): 27-29 JAN,2004,第2作者
（6）自组织量子点量子线和量子点激光器,Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers, ,J. of Crystal Growth 227-228, 1132 ,2001,第1作者
（7）InP衬底上原位生长高密度InAs量子线,High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP. ,Appl. Phys. Lett., 75, 1173,1999,第3作者
（8）光照SI-GaAs动力学行为的理论研究,Thcoretical Investigation of the Dynamic Process of the Illumination of GaAs,Phys. Rev. B50, 5189,1994,第2作者
（9）掺铜GaAs中受主络合物和束缚激子,Acceptor Associates and Bound Excitons in GaAs:Cu ,J. Appl. Phys., 58, 230,1985,第1作者
（10）液相外延GaAs原生深中心的电学性质, Electronic Properties of Native Deep Level Defects in LPE GaAs；, J. of Phys., C: Solid State Phys., 17, 259,1984,第1作者

发表著作（ 1 ） 纳米半导体技术,Semicondutor Nanotechnology,化学工业出版社,2006-04,第1作者
（ 2 ） 中国材料工程大典：“信息功能材料工程第11、12和13卷”,Information-functional Materials Engineering No.11.12 and13 Vol.,化学工业出版社,2006-06,第1作者
（ 3 ） 半导体材料研究进展 第一卷,Reasearch Progress of Semiconductor Materials Volume 1,高等教育出版社,2012-01,第1作者
（ 4 ） 超宽禁带半导体材料,Urtra-wide Bandgap Semiconductor Mateirals,Elsevier,2019-10,第3作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 有机/无机半导体复合太阳能光伏材料与器件基础研究, 主持,国家级,2009-12--2014-01
（ 2 ） Electrical control of Spin Injection in spin-LEDs , 主持,国家级,2011-10--2014-12
（ 3 ） 无制冷高速直调量子点激光器研究, 参与,国家级,2016-07--2019-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生