基本信息
王兴军男博导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： xjwang@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

招生方向半导体光学特性


教育背景1995-09--2000-07复旦大学博士
1991-09--1995-07上海交通大学学士

学历研究生
学位理学博士

工作经历
工作简历2010-03~现在,中科院上海技术物理所,研究员
2006-01~2010-03,瑞典林雪平大学,博士后
2004-03~2005-12,日本东北大金属研究所,非常任讲师
2000-08~2003-12,复旦大学,教师

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Band structure of wurtzite GaBiAs nanowires,Nano Letters 19，6454,2019-08,通讯作者
（2）Arsenic-induced faceted lateral nanoprisms array on Si (1 0 3) surface,Applied Surface Science 463, 713,2019-01,通讯作者
（3）Enhanced luminescence properties of InAs nanowires via organic and inorganic sulfide passivation,Nanotechnology 30, 445704,2019,通讯作者
（4）Effect of exciton transfer on recombination dynamics in vertically nonuniform GaAsSb epilayers,Appl. Phys. Lett. 114, 252101,2019,通讯作者
（5）Raman spectroscopic determination of hole concentration in undoped GaAsBi,Semiconductor Science and Technology 34, 015008,2019,通讯作者
（6）Effect of thermal annealing on carrier localization and efficiency of spin detection in GaAsSb epilayers grown on InP,Aip Advance 8, 045021,2018,通讯作者
（7）Photoreflectance and photoreflectance excitation study of optical transitions in GaAsBi/GaAs heterostructure,J. Appl. Phys 123, 035702,2018,通讯作者
（8）The ambipolar evolution of a high-erformance WSe2 transistor assisted by a ferroelectric polymer,Nanotechnology 29,105202,2018,其他（合作组作者）
（9）Enhancement of direct and indirect exciton emissions in few-layer WSe2 at high temperatures,Materials Research Express 5,066209,2018,通讯作者
（10）Low temperature photo-induced carrier dynamics in the GaAs 0.985 N 0.015 alloy,Journal of Alloys and Compounds,2017,第3作者
（11）A modified optics based technique for suppressing spurious signals in photoreflectance spectra,The Review of scientific instruments,2017,通讯作者
（12）Interlayer Transition and Infrared Photodetection in Atomically Thin Type-II MoTe2/MoS2 van der Waals Heterostructures,Acs Nano,2016,其他（合作组作者）
（13）An investigation of exciton behavior in type-II self-assembled GaSb/GaAs quantum dots,Nanotechnology 27 (62),065602,2016,第4作者
（14）Increase in the efficiency of spin detection based on GaAsSb by applying a longitudinal magnetic field or a postgrowth annealing process,Applied Physics Express 9 (2), 021201,2016,通讯作者
（15）Optical spin polarization and Hanle effect in GaAsSb: Temperature dependence,Appl. Phys. Lett 105 (8), 082104,2014,通讯作者
（16）Efficient room-temperature nuclear spin hyperpolarization of a defect atom in a semiconductor,Nature Communications,2013,第2作者
（17）Effects of Ni-coating on ZnO nanowires: A Raman scattering study ,J. Appl. Phys ,2013,第2作者
（18）Effect of hyperfine-induced spin mixing on the defect-enabled spin blockade and spin filtering in GaNAs ,Phys. Rev. B ,2013,第2作者
（19）Defects in N, O and N, Zn implanted ZnO bulk crystals ,J. Appl. Phys ,2013,第2作者
（20）Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 γ-ray irradiation,J. Appl. Phys,2012,通讯作者
（21）Sub-millisecond dynamic nuclear spin hyperpolarization in a semiconductor:A case study from PIn antisite in InP,Phys. Rev. B,2012,第1作者
（22）Effects of P implantation and post-implantation annealing on defect formation in ZnO,J. Appl. Phys,2012,第1作者
（23）Room-temperature spin injection and spin loss across a GaNAs/GaAs interface,Appl. Phys. Lett,2011,第2作者
（24）Effect of postgrowth hydrogen treatment on defects in GaNP ,Appl. Phys. Lett,2011,第2作者
（25）Electron spin filtering by thin GaNAs/GaAs multiquantum wells,Appl. Phys. Lett,2010,第2作者
（26）Dominant recombination centers in Ga(In)NAs alloys: Ga interstitials,Appl. Phys. Lett ,2009,第1作者
（27）Oxygen and zinc vacancies in as-grown ZnO single crystals,J. Phys.: D,2009,第1作者
（28）Room-temperature defect-engineered spin filter based on a non-magnetic semiconductor,Nature Materials ,2009,第1作者
（29）Effect of stoichiometry on defect formation in ZnO epilayers grown by molecular -beam-epitaxy: an optically detected magnetic resonance study,J. Appl. Phys,2008,第1作者
（30）Bandgap properties of Zn1-xCdxO alloys grown by molecular-beam-epitaxy,Appl. Phys. Lett,2006,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于GaNAs体系缺陷调控的新型自旋过滤器的物理特性研究, 主持,国家级,2013-01--2016-12
（ 2 ） 基于III-V族稀氮半导体中缺陷的自旋过滤器机理研究, 主持,省级,2011-10--2013-09
（ 3 ） 光电功能材料中痕量缺陷与杂质光电行为研究, 主持,部委级,2011-08--2014-08
（ 4 ） GaAsBi纳米线的光学及其缺陷特性的研究, 主持,省级,2018-06--2021-05
（ 5 ） Bi诱导GaAs纳米线形成的缺陷及其调控的光学极化特性的研究, 主持,国家级,2019-01--2022-12

参与会议（1）Effect of Bismuth-induced control Phase of GaAs Nanowires on Optical Polarization王兴军2018-10-08


合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
姜祎祎硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
张斌博士研究生080903-微电子学与固体电子学
朱思新博士研究生080903-微电子学与固体电子学