基本信息
王芳芳女硕导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： wangfangfang@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
0805Z2-半导体材料与器件
070207-光学

招生方向 II类超晶格红外探测器的研究
红外探测材料的分子束外延生长研究
红外探测材料与器件关系研究


教育背景2008-03--2011-06同济大学博士学位
2004-09--2007-07河南大学硕士学位
2000-09--2004-07河南大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2017-09~现在,中国科学院上海技术物理研究所,副研究员
2011-06~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所,助理研究员
2008-03~2011-06,同济大学,博士学位
2004-09~2007-07,河南大学,硕士学位
2000-09~2004-07,河南大学,学士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 基于InAs衬底的16微米甚长波超晶格红外探测器暗电流机理及其抑制研究, 二等奖, 研究所（学校）, 2018
（2） 新型InAs基甚长波InAs/GaSb II类超晶格生长探索, 三等奖, 研究所（学校）, 2016

专利成果（ 1 ） 基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL 2013 1 **.5
（ 2 ） 一种基于砷化铟衬底的II类超晶格结构, 2016, 第 1 作者, 专利号: ZL 2016 2 **.X


出版信息
发表论文（1）Gain measurement of terahertz quantum cascade laser via a master-oscillator power-amplifier configuration,Journal of Crystal Growth,2019,第3作者
（2）ICP etching for InAs-based InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared detectors,Infrared Physics & Technology,2018,第4作者
（3）Highly efficient power extraction in terahertz quantum cascade laser via a grating coupler,Applied Physics Letters,2018,第3作者
（4）Performance comparison between the InAs-based and GaSb-based type-II superlattice photodiodes for long wavelength infrared detection,Optics Express,2017,第1作者
（5）High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates,Semicond. Sci. Technol.,2017,第3作者
（6）MBE growth and characterization of type-II InAs/GaSb superlattices LWIR materials and photodetectors with barrier structures,Journal of Crystal Growth,2017,第3作者
（7）太赫兹二级分布反馈量子级联激光器中的模式竞争与功率特性,红外与毫米波学报,2017,第2作者
（8）InAs-based type-II superlattice long wavelength photodetectors,Proc. Of SPIE,2016,第1作者
（9）Terahertz master-oscillator power-amplifier quantum cascade lasers,Applied Physics Letters,2016,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 2k×2k大规模高分辨长波超晶格红外焦平面器件关键工艺技术研究, 主持,市地级,2019-01--2020-12

参与会议（1）InAs/GaSb II类超晶格长波红外探测器研究第十二届全国分子束外延学术会议2017-08-15
（2）Investigation of long-wave type-II InAs/GaAsSb superlattice photodiodes grown on InAs substrates by molecular beam epitaxy2016-09-04


合作情况
项目协作单位

指导学生