基本信息
田晓丽女硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： tianxiaoli@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向Si基IGBT，宽禁带半导体器件


教育背景2012-09--2016-06中国科学院大学博士
2006-09--2009-06四川大学硕士
2002-09--2006-06四川大学本科

学历
学位

工作经历
工作简历2009-07~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 5.9
（ 2 ） 一种碳化硅器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 5.0
（ 3 ） 碳化硅功率器件终端及其制作方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: CN 2.2
（ 4 ） ITC-IGBT及其制作方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: US 14/648,698
（ 5 ） 一种场限环结构, 实用新型, 2012, 第 1 作者, 专利号: 1.4
（ 6 ） 结终端延伸结构及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 9.6
（ 7 ） 一种中高压IGBT终端, 实用新型, 2013, 第 1 作者, 专利号: 2.9
（ 8 ） 一种IGBT的版图, 实用新型, 2014, 第 1 作者, 专利号: 8.9
（ 9 ） 一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 0.7
（ 10 ） 微穿通型IGBT器件及其制作方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 7.9
（ 11 ） 绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: 7.4


出版信息
发表论文（1）Investigation on Current Crowding Effect in IGBTs,IEEE Transactions on Electron Devices,2018,第3作者
（2）IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究,物理学报,2016,第4作者
（3）A Novel IGBT Structure With Floating N-Doped Buried Layer in P-Base to Suppress Latch-Up,IEEE Electron Device Letters,2016,第8作者
（4）Backside optimization for improving avalanche breakdowm behavior of 4.5kV IGBT,Journal of Semiconductors,2015,第1作者
（5）A Novel Optimization Design for 3.3kV Injection-Enhanced Gate Transistor,Journal of Semiconductors,2014,第1作者
（6）Increase of the Reliability of the Junction Terminations of Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor by Appropriate Backside Layout Design,Electron Device Letters,2014,第4作者

发表著作（1）功率半导体器件基础,电子工业出版社,2013-02,第5作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 功率模块测试与验证, 主持,国家级,2013-01--2018-12
（ 2 ） 车用高温大电流SiC芯片研发, 主持,国家级,2017-06--2021-07
（ 3 ） 3300V 超高压电力电子器件产业化开发, 主持,部委级,2016-06--2019-07
（ 4 ） “新型电力电子器件联合研发中心”项目, 参与,院级,2017-01--2021-01
（ 5 ） 1700V/30A SiC MOSFET器件研制, 参与,省级,2017-01--2018-12
（ 6 ） 中低压SiC材料、器件及其在电动汽车充电设备中的应用示范, 参与,国家级,2016-06--2020-07

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
冯旺硕士研究生080903-微电子学与固体电子学