基本信息
陶科男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： taoke@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向高效太阳电池，硅基光电探测器


教育背景2008-09--2011-06南开大学博士学位
2005-09--2008-07南开大学硕士学位
2001-09--2005-07南开大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2014-08~现在,中国科学院微电子研究所,副研究员
2011-09~2014-08,日本东京工业大学,博士后

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 2018SNEC兆瓦级翡翠奖, , 其他, 2018
（2） 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会优秀论文奖（2016）, 其他, 2016

专利成果（ 1 ） 晶体硅太阳能电池, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 1.6
（ 2 ） 晶体硅太阳能电池及其制备方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2.0
（ 3 ） 一种砷化镓太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN9.8
（ 4 ） 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: CN9.4
（ 5 ） 一种石墨烯/砷化镓太阳电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN5.8
（ 6 ） 一种背结背接触太阳能电池, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: CN3.X


出版信息
发表论文（1）Application of a-Si/μc-Si hybrid layer in tunnel oxide passivated contact n-type silicon solar cells,Solar Energy,2017,第1作者
（2）氢退火对硅上硅锗低温外延薄膜性能的影响,无机材料学报,2017,第2作者
（3）Studies on the polycrystalline silicon/SiO2 stack as front surface field for IBC solar cells by two dimensional simulations,Chinese physics B,2017,第3作者
（4）Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4,Diamond and Related Materials,2016,第1作者
（5）Replacing the amorphous silicon thin layer with microcrystalline silicon thin layer in TOPCon solar cells,Solar Energy,2016,第2作者
（6）Two dimensional simulation studies on amorphous silicon stack as front surface field for interdigitated back contact solar cells,Vacuum,2016,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术的叉指背接触(IBC)晶体硅太阳电池的研究, 主持,国家级,2018-01--2020-12
（ 2 ） 高速x射线探测器, 参与,国家级,2017-10--2019-12

参与会议（1）隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池的研究第二届N型晶硅电池与双面发电论坛2017陶科2017-12-12
（2）ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究13th CSPV 中国太阳级硅及光伏发电研讨会陶科2017-11-16
（3）Doped a-Si:H/μc-Si:H hybrid layers used to improve the performance of TOP-Con silicon solar cells欧洲光伏太阳能会议暨展览会陶科2016-06-20


合作情况
项目协作单位

指导学生