基本信息
谭腾男中国科学院近代物理研究所
电子邮件： ttan@impcas.ac.cn
通信地址： 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
邮政编码：

研究领域超导物理学
薄膜材料
射频超导


招生信息本人2018~2019各计划招收一名硕士生。研究方向为镀膜射频超导腔的制备及表征，以及超导薄膜在加速器中的应用和性能。
射频超导技术为新一代代直线加速器的首选技术，而镀膜射频超导腔又是射频超导技术中的前沿方向。我国目前新立项的北方光源、上海光源升级、C-ADS（中国加速器驱动次临界系统）、HIAF（高通量重离子加速器系统）等大科学工程均是本技术潜在的应用对象。
研究组依托近代物理研究所及附近科研单位，材料生长、测试仪器齐全。除工程经费外，项目组目前有2个基金项目，年人均100万元的经费支持。

招生专业082701-核能科学与工程
080501-材料物理与化学

招生方向射频超导
镀膜技术
超导薄膜


教育背景2010-08--2015-12美国天普大学物理学博士
2006-09--2010-07北京大学理学学士

学历
2006-2010，北京大学，物理学本科
2010-2015，美国天普大学，物理学博士研究生


学位2010，北京大学，物理学学士
2015，美国天普大学，物理学博士

工作经历2016至今，中国科学院近代物理研究所

工作简历2016-02~2022-02,中国科学院近代物理研究所,副研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Hybrid Physical Chemical Vapor Deposition of Magnesium Diboride Inside 3.9 GHz Mock Cavities,IEEE Transactions on Applied Superconductivity,2017,第3作者
（2）Magnesium diboride coated bulk niobium: a new approach to higher acceleration gradient,Scientific Reports,2016,第1作者
（3）MgB2 ultrathin films fabricated by hybrid physical chemical vapor deposition and ion milling,APL Materials,2016,第3作者
（4）Enhancement of lower critical field by reducing the thickness of epitaxial and polycrystalline MgB2 thin films,APL Materials,2015,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 面向强流高稳定束流的铜基镀膜腔研究, 主持,部委级,2016-08--2021-07
（ 2 ） 基于HiPIMS的铜基底镀膜技术研究, 主持,部委级,2017-01--2019-12

参与会议（1）Increase in vortex penetration field on bulk Nb coated with a MgB2 thin film without an insulation layerTeng Tan2016-07-27


合作情况
项目协作单位

指导学生