基本信息
施尔畏男博导中国科学院上海硅酸盐研究所
电子邮件： ewshi@mail.sic.ac.cn
通信地址： 上海市定西路1295号
邮政编码： 200050

研究领域

招生信息
招生专业080502-材料学

招生方向宽禁带半导体材料，新型压电晶体探索


教育背景1985-09--1991-06中国科学院上海硅酸盐研究所博士

学历
学位

工作经历
工作简历1997-07~现在,中国科学院上海硅酸盐研究所,研究员
1992-12~1997-07,中国科学院上海硅酸盐研究所,助理研究员，副研究员
1991-12~1992-12,韩国釜山大学物理系,博士后
1985-09~1991-06,中国科学院上海硅酸盐研究所,博士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 正对电极结构，SiC光导开关及其它们的制造方法, 2011, 第 5 作者, 专利号: 1.2
（ 2 ） 碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL 1.0
（ 3 ） 一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置, 2010, 第 3 作者, 专利号: ZL 4.4
（ 4 ） 基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置, 2010, 第 3 作者, 专利号: ZL 2.5
（ 5 ） 一种大功率光电导开关测试装置及其应用, 2009, 第 4 作者, 专利号: 1.
（ 6 ） 一种光控碳化硅光电导开关, 2010, 第 4 作者, 专利号: 2.8
（ 7 ） 碳化硅衬底用抛光液, 2010, 第 2 作者, 专利号: 7.4
（ 8 ） 双室结构碳化硅晶体生长装置, 2010, 第 2 作者, 专利号: PCT/CN2010/074204
（ 9 ） Apparatus with Two-Chamber Structure for Growing Silicon Carbide Crystals, 2011, 第 2 作者, 专利号: 13/379608（U.S.）
（ 10 ） 晶体生长炉, 2009, 第 2 作者, 专利号: ZL5.9
（ 11 ） 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法, 2011, 第 3 作者, 专利号: 2.0
（ 12 ） 一种气相晶体生长压力自动控制系统, 2007, 第 2 作者, 专利号: 1.0
（ 13 ） 溶胶-凝胶法制备高温铁磁性的ZnO:(Co,Al)纳米材料的方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: ZL7.9
（ 14 ） 利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜, 2006, 第 2 作者, 专利号: ZL8.3
（ 15 ） 坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法, 2004, 第 3 作者, 专利号: ZL5.8
（ 16 ） 一种熔料补充生长晶体的装置和方法, 2003, 第 3 作者, 专利号: ZL4.0
（ 17 ） 一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 8.6
（ 18 ） 一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法, 2011, 第 4 作者, 专利号: 8.5
（ 19 ） 一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法, 2010, 第 4 作者, 专利号: 2.7
（ 20 ） 一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 6.9
（ 21 ） 一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: 8.3
（ 22 ） 一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: ZL4.5
（ 23 ） 一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法, 2006, 第 2 作者, 专利号: ZL5.X
（ 24 ） 一种气相晶体生长压力自动控制系统, 2007, 第 2 作者, 专利号: 1.0，
（ 25 ） 一种高耐压碳化硅光导开关, 2008, 第 2 作者, 专利号: ZL5.9
（ 26 ） 一种硅酸镓钡晶体及其制备方法和用途, 2007, 第 3 作者, 专利号: 7.3
（ 27 ） 一种硅酸镓锑基压电单晶, 2007, 第 3 作者, 专利号: 8.8
（ 28 ） 四晶格位结构压电晶体, 2007, 第 3 作者, 专利号: 0.5
（ 29 ） 压电晶体元件, 2009, 第 5 作者, 专利号: 5.8
（ 30 ） 双室结构碳化硅晶体生长装置, 2009, 第 2 作者, 专利号: ZL8.9
（ 31 ） 高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL8.3
（ 32 ） 一种晶片清洗干燥架, 2009, 第 3 作者, 专利号: ZL 8.6
（ 33 ） 压电晶体元件, 2009, 第 5 作者, 专利号: ZL5.8
（ 34 ） 一种黄长石结构高温压电晶体及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 6.2
（ 35 ） 一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: 0.9
（ 36 ） 一种硅酸镓铌钙压电晶体及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 4.3
（ 37 ） 具有室温铁磁性Cu掺杂ZnO纳米柱状晶薄膜及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: 3.6
（ 38 ） 一种用于晶体生长的新型加热装置, 2015, 第 5 作者, 专利号: 6.9
（ 39 ） 一种大电流脉冲的可控分裂方法及其装置, 2015, 第 5 作者, 专利号: 1.8
（ 40 ） 一种高效SiC晶体扩径方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 7.3
（ 41 ） 一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法, 2015, 第 4 作者, 专利号: 1.3
（ 42 ） 一种碳化硅晶体生长用坩埚, 2015, 第 5 作者, 专利号: 4.2
（ 43 ） 气囊式晶片粘结助压手柄, 2015, 第 4 作者, 专利号: 3.8


出版信息
发表论文（1）Porous AlN with a Low Dielectric Constant Synthesized Based on the Physical Vapor Transport Principle,Journal of Electronic Materials,2016,第4作者
（2）Study of Triangle-Shaped Defects on Nearly On-Axis 4H-SiC Substrates,Materials Science Forum,2016,第4作者
（3）Study of ehrlich-schwoebel barrier in 4H-SiC epitaxial growth by molecular statics method,Material Science Forum,2016,第4作者
（4）Competitive lattice model Monte Carlo method for simulation of competitive growth of different polytypes in SiC single crystal,Material Science Forum,2016,第4作者
（5）Recent progress in research of f-SiC codoped with N–B–Al pairs for optoelectronics,Journal of Semiconductors,2015,第4作者
（6）A competitive lattice model Monte Carlo method for simulation competitive growth of different polytypes in close-packed crystals: 4H and 6H silicon carbide,Computational Materials Science,2015,第4作者
（7）Electrical properties and microstructural characterization of Ni/Ta contacts to n-type 6H-SiC,Chinese Physics B,2015,第4作者
（8）Influence of oxygen partial pressure on the microstructural and magnetic properties of Er-doped ZnO thin films,AIP Advance,2015,第4作者
（9）Defects Induced Ferromagnetism in Hydrogen Irradiated 3C-SiC Thin Films,Materials Letters,2015,第4作者
（10）Ferromagnetism in proton irradiated 4H-SiC single crystal,AIP Advance,2015,第4作者
（11）Application of an Al doped zinc oxide subcontact layer on the vanadium compensated 6H-SiC photoconductive switches,Chinese Physics B,2015,第4作者
（12）Strong correlation between oxygen vacancy and ferromagnetism in Yb-doped ZnO thin films,Journal of Applied Physics,2014,第4作者
（13）Study of surface morphologies of on-axis 6H-SiC wafer after high-temperature etching and epitaxial growth,Material Science Forum,2014,第4作者
（14）Effect of interfacial graphite carbon created by high temperature annealing on the contact properties of Ni/Ti/6H-SiC,Materials Sciences and Engineering B,2014,第4作者
（15）Divacancies Induced Ferromagnetism in 3C-SiC Thin Films,Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2014,第4作者
（16）Effects of annealing temperature on the electrical property and microstructure of aluminum contact on n-type 3C-SiC,Chinese Physics B,2014,第4作者
（17）Effect of annealing temperature on the contact properties of Ni/V/4H-SiC,AIP Advance,2014,第4作者
（18）Zinc vacancy and erbium cluster jointly promote ferromagnetism in erbium-doped ZnO thin film,AIP Advance,2014,第4作者
（19）Fabrication and properties of V-doped semi-insulating 6H-SiC photoconductive semiconductor switch,High Power Laser and Particle Beams,2014,第4作者
（20）Influence of Ga doping on the Cr valence state and ferromagnetism in Cr: ZnO films,Applied Physics Letters,2013,第4作者
（21）Influence of mole ratio of Si: C on the magnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC,Chemical Physics Letters,2013,第11作者
（22）Effect of vanadium on the room temperature ferromagnetism of V-doped 6H-SiC powder,Chinese Physics B,2013,第11作者
（23）Effect of Surface Morphology on the On-state Resistance of SiC Photoconductive Semiconductor Switches,Material Science Forum,2012,第11作者
（24）The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by APCVD,Journal of Materials Research,2012,第11作者
（25）Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD,Applied Surface Sciences,2012,第11作者
（26）Effects of substrate crystallinity on the on-state resistance of 6H-SiC photoconductive switches,Journal of Materials Research,2012,第11作者
（27）Direct observation of nanoscale native oxide on 6H-SiC surface and its effect on the surface band bending,Applied Physics Express,2012,第11作者
（28）Influence of surface bow on reconstruction of 2-inch-SiC (0001) wafer,Journal of Applied Physics,2012,第11作者
（29）Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature anneal,Chinese Physics B,2012,第11作者
（30）Defects mediated ferromagnetism in V-doped 6H-SiC single crystal,Chinese Physics B ,2012,第11作者
（31）拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布,无机材料学报,2012,第11作者
（32）4H-SiC高速同质外延研究,无机材料学报,2012,第11作者
（33）正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究,无机材料学报,2012,第11作者
（34）Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping,Applied Physics Letters ,2012,第11作者
（35）Study of nitrogen concentration in silicon carbide,Journal of Electronic Materials,2012,第11作者
（36）Synthesis of source powder for SiC crystal growth using high purity silicon and carbon powder,Advanced Materials Research,2012,第11作者
（37）Ionized zinc vacancy mediated ferromagnetism in copper doped ZnO thin film,AIP advanc 2,2012,第11作者
（38）Defect enhanced ferromagnetism in Cu-doped ZnO thin film,Solid State Communications,2012,第11作者
（39）Characterization of polytype distrubution in Nitrogen-doped 6H-SiC single crystal by Raman mapping,Journal of Inorganic Materials,2012,第11作者
（40）（Cu,Al）掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究,发光学报,2012,第11作者
（41）Oxygen enhanced ferromagnetism in Cr-doped ZnO films,Applied Physics Letters,2011,第11作者
（42）Multi-roles of Cu ions in the ferromagnetic properties of (Cu,Al)-codoped ZnO thin films,Journal of Crystal Growth,2011,第11作者
（43）Romm-temperature anomalous Hall effect and magnetroresisance in (Ga,Co)-codoped ZnO diluted magnetic semiconductor films,Chinese Physics,2011,第3作者
（44）structural, optical and electrical properties of Ga-doped and (Ga,Co)-codoped ZuO films,Journal of crystal growth,2010,第4作者
（45）analysis of donor-acceptor pairs and titanium related luminescence in different compensated 6H-SiC single ceystals,materials science and engineering,2010,第4作者
（46）组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响,物理学报,2010,第4作者
（47）the behavior of powder sublimation in the long-term PVT growth of SiC crystals,Journal of crystal growth,2010,第4作者
（48）原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响,无机材料学报,2010,第4作者
（49）single crystal growth of MgO-doped near-stoichiometric lithium niobate crystals and fabrication of Ti:PPLN devices,journal of crystal growth,2009,第11作者
（50）synthesis of SiC manoparticles by template confined method,journal of inorganic materials,2009,第3作者
（51）the local structure and charge transfer properties of Co-doped ZnO thin films,Acta physica sinica,2009,第3作者

发表著作（ 1 ） 水热结晶学,Hydrothermal crystallization,科学出版社,2004-09,第1作者
（ 2 ） 关于研究所管理,on the management of research insititutes,科学出版社,2007-08,第1作者
（ 3 ） 建设创新中国引领未来发展,Promoting innovation in China,科学出版社,2008-01,第1作者
（ 4 ） 观察与思考,Observation and deliberation,科学出版社,2010-05,第1作者
（ 5 ） 碳化硅晶体生长与缺陷,the growth and defects of silicon carbide crystal,科学出版社,2012-06,第1作者
（ 6 ） 康宁公司和创新的技能,Coring and the craft of Innovation,科学出版社,2014-07,第1作者
（ 7 ） 观察与思考（2）,Observation and deliberation 2,科学出版社,2016-03,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 双室结构型SiC单晶生长炉研制及工艺开发, 参与,国家级,2009-01--2013-06
（ 2 ） SiC衬底与外延制备技术开发, 参与,省级,2011-08--2013-09
（ 3 ） 3～4英寸SiC晶体衬底开发, 参与,部委级,2011-01--2014-12
（ 4 ） SiC晶体光学性能研究, 参与,部委级,2012-06--2016-06
（ 5 ） 大尺寸SiC晶体研究产业化开发, 主持,省级,2015-11--2018-10
（ 6 ） 碳化硅衬底材料与器件的集成计算材料工程, 参与,国家级,2013-01--2015-12
（ 7 ） 大功率GaN器件用大尺寸SiC衬底制备及外延技术研究, 参与,国家级,2014-01--2016-12
（ 8 ） 低阻4H-SiC衬底及外延技术研发, 参与,省级,2015-07--2016-06
（ 9 ） 基于电力电子器件用SiC材料应用示范工程, 参与,部委级,2016-01--2018-12
（ 10 ） 大尺寸非线性光学晶体YCOB研究, 参与,部委级,2016-01--2018-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生