基本信息
马文全男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： wqma@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域半导体材料物理与器件物理

招生信息
招生专业080901-物理电子学
080903-微电子学与固体电子学

招生方向锑化物二类超晶格及量子点红外探测器
光电子材料与器件
锑化物激光器


教育背景1998-03--2001-03德国洪堡大学博士
1994-09--1997-07中科院半导体所硕士
1986-09--1990-07兰州大学学士

学历博士
学位理学博士

出国学习工作

工作经历2001年4月-2004年10月：美国阿肯色大学博士后
2004年10月至今：中科院半导体所研究员
工作简历2004-10~现在,中科院半导体所,研究员
2001-05~2004-09,美国阿肯色大学,博士后

社会兼职

教授课程半导体光电材料与器件
半导体低维结构红外探测器
红外光电子材料物理


专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
最近论文（1）Growth and electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well,J. Nanosci. Nanotechnol.,2018,通讯作者
（2）Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure,Solid State Communications,2017,通讯作者
（3）Two-Color niBin Type II Superlattice Infrared Photodetector With External Quantum Efficiency Larger Than 100%,IEEE Electron Device Letters,2017,通讯作者
（4）Pushing detection wavelength toward 1 um by type II InAs/GaAsSb superlattices with AlSb insertion layers,IEEE Electron Device Letters,2016,通讯作者
（5）Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector,Appl. Phys. Lett.,2015,通讯作者
（6）Longer than 1.9 μm photoluminescence emission from InAs quantum structure on,Appl. Phys. Lett.,2015,通讯作者
（7）Narrow-Band Type II Superlattice Photodetector with Detection Wavelength Shorter than 2 um,IEEE Photo. Technol. Lett.,2015,通讯作者
（8）Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector,Chin. Sci. Bull.,2014,通讯作者
（9）Interface effect on structural and optical properties of typeII InAs/GaSb superlattices,J. Crystal Growth,2014,通讯作者
（10）Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy, Semicond. Sci. Technol. ,2013,通讯作者
（11）540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier,IEEE Electron Device Lett.,2013,通讯作者
（12）High Structural Quality of Type II InAs/GaSb Superlattices for Very Long Wavelength Infrared Detection by Interface Control,IEEE J. Quantum Electron.,2012,通讯作者
（13）Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity,Appl. Phys. Lett.,2012,通讯作者
（14）Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature,Physica E,2012,通讯作者
（15）Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation,Jpn. J. Appl. Phys.,2012,通讯作者
（16）How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm,IEEE J. Quantum Electron.,2012,通讯作者
（17）Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure,Appl. Phys. Lett.,2011,通讯作者
（18）Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers,Appl. Phys. Lett.,2011,通讯作者
（19）Very long wavelength quantum dot infarerd photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlgaAs insertion layers,Appl. Phys. Lett.,2011,通讯作者
（20）Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaxes,IEEE J. Quantum Electron.,2011,通讯作者
（21）Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atomospheric windows,Appl. Phys. A,2010,通讯作者
（22）Resonantly driven coherent oscillations in a solid state quantum emitter,Nature Physics,2009,第4作者
（23）Direct evidence of interlevel exciton transitions mediated by single phonons in a semiconductor quantum dot using resonant fluorescence spectroscopy,Phys. Rev. Lett.,2009,第4作者
（24）Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector,Appli. Phys. Lett.,2008,第1作者
（25）Resonance fluorescence from a coherently driven semiconductor quantum dot in a cavity,Phys. Rev. Lett.,2007,第4作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构, 主持,国家级,2010-01--2014-12
（ 2 ） 高性能长波长 InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究, 主持,国家级,2012-01--2015-12
（ 3 ） 量子点红外探测器材料及器件物理研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 4 ） XXX, 主持,国家级,2016-01--2018-12
（ 5 ） 低维固态极性结构中量子态调控及其原型器件研究, 参与,国家级,2018-01--2022-12

参与会议（1）Reaching detection wavelength of 1 μm by type II superlattice structureWenquan Ma, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, and Yulian Cao2017-07-31
（2）Short Wavelength Infrared Detection Using Type II InAs/GaSb superlattice structure2017-05-14


合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
刘小宇硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
张艳华博士研究生080901-物理电子学
黄建亮博士研究生080903-微电子学与固体电子学
卫炀博士研究生080903-微电子学与固体电子学
郭晓璐硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
崔凯博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李琼硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘珂博士研究生080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
黄文军博士研究生080901-物理电子学
聂碧颖硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵成城博士研究生080903-微电子学与固体电子学