基本信息
刘明女博导中国科学院微电子研究所
电子邮件： liuming@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：微电子重点实验室
研究领域
从事微电子科学技术领域，主要涉及存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面



招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080902-电路与系统
085209-集成电路工程

招生方向新型纳米存储器件与集成技术
集成电路技术


教育背景1998-06--1999-11中科院半导体研究所/微电子中心博士后
1995-09--1998-05北京航空航天大学博士
1985-09--1988-06合肥工业大学硕士
1981-09--1985-07合肥工业大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2000-07~现在,中国科学院微电子研究所,研究员

社会兼职2017-11-26-今,IEEE, Fellow
2016-01-01-今,the EDS Newsletter?, Regional Editor
2016-01-01-今,IEEE EDS Beijing Chapter, 主席
2015-01-01-今,国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员,
2014-01-01-今,中国真空学会, 理事
2013-01-01-今,中国科学, 编委
2011-01-01-今,IEEE Electron Devices Society, Distinguished Lecturer
2011-01-01-今,Applied Physics A, 编辑
2010-12-01-今,无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问,
2008-06-06-今,中科院科学院科学出版社基金,
2008-04-01-今,“纳米科学技术大系”编委会,
2007-01-01-今,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会,
2006-09-01-今,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会, 第一届理事会名誉理事长
2002-11-01-今,中国材料研究学会青年委员会,


教授课程半导体存储器技术


专利与奖励
奖励信息（1） 2017年度何梁何利基金科学与技术进步奖（电子信息技术奖）, 一等奖, 其他, 2017
（2） 氧化物阻变存储器机理与性能调控, 二等奖, 国家级, 2016
（3） 阻变存储器机理与性能调控, 一等奖, 省级, 2015
（4） 极大规模集成电路关键技术研究集体, , 院级, 2014
（5） 阻变存储器及集成的基础研究, 二等奖, 省级, 2014
（6） 高精度微纳结构掩模制造核心技术, 二等奖, 国家级, 2013
（7） 中国真空学会“中国真空科技成就奖(莱宝奖)”, , 其他, 2012
（8） 2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”, , 研究所（学校）, 2011
（9） 2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师”, , 研究所（学校）, 2011
（10） 微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用, 一等奖, 省级, 2010
（11） 移动通讯用滤波器关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2009
（12） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 二等奖, 国家级, 2007
（13） 中高频声表面波关键材料与器件研究, 一等奖, 省级, 2006
（14） 亚30nm CMOS器件及其关键技术, 二等奖, 国家级, 2005
（15） 27nm CMOS器件, 一等奖, 省级, 2004
（16） 0.18um的集成电路工艺技术, 二等奖, 省级, 2002
（17） 纳米硅薄膜微结构与物性研究, 三等奖, 部委级, 1999

专利成果（ 1 ） 光存储单元、光存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 0.4
（ 2 ） 铁电型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 4.9
（ 3 ） 一种光学传感器及其内部的成像器件, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 7.5
（ 4 ） 一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 3.3
（ 5 ） 具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 9.3
（ 6 ） 有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 1.0
（ 7 ） 一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置 , 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 8.5
（ 8 ） 纳米晶浮栅存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 9.8
（ 9 ） 非挥发性电阻转变存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 7.2
（ 10 ） 提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 0.5
（ 11 ） 一种多值非挥发存储器及其制备方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 0.5
（ 12 ） 一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 6.0
（ 13 ） 一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 4.2
（ 14 ） 复合存储单元和存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 7.9
（ 15 ） 基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 3.X
（ 16 ） 编程电阻存储单元的方法和装置, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 7.6
（ 17 ） 有机场效应晶体管存储器的编程方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 0.9
（ 18 ） 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: 0.2
（ 19 ） 一种存储器器件及其阵列, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 9.X
（ 20 ） 一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 3.6
（ 21 ） 双栅电荷俘获存储器及其制作方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 2.0
（ 22 ） 隧穿二极管整流器件及其制造方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 0.5
（ 23 ） 一种CTS2电荷泵, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 9.1
（ 24 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 2.3
（ 25 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 3.6
（ 26 ） 一种去除硅纳米晶的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 0.5
（ 27 ） 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL8.3
（ 28 ） 电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL9.6
（ 29 ） 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: ZL0.9
（ 30 ） 一种在LEdit中绘制矢量字符的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 4.8
（ 31 ） 用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 9.8
（ 32 ） 一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: ZL 9.1
（ 33 ） 钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: ZL 8.5
（ 34 ） 一种在线检测硅纳米晶形态的方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 6.1
（ 35 ） 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL 5.X
（ 36 ） 一种对电阻存储器进行编程的电路, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 3.1
（ 37 ） 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL 6.9
（ 38 ） 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL4.5
（ 39 ） 一种有机薄膜晶体管及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL2.3
（ 40 ） Semiconductor memory cell, device, and method for manufacturing the same, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US ** B2
（ 41 ） 3D Semiconductor memory device and manufacturing method thereof, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US ** B2
（ 42 ） Method for manufacturing three-dimensional semiconductor memory device, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US 9,070,872 B2
（ 43 ） 非易失性三维半导体存储器件及制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL5.5
（ 44 ） 一种敏感吸附膜及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL2.9
（ 45 ） 阻变存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL 9.9
（ 46 ） 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL3.4
（ 47 ） 一种非挥发性存储器件的编程方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: ZL8.1
（ 48 ） 三维层叠存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 26
（ 49 ） 基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 50 ） 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法, 发明, 2016, 第 5 作者, 专利号: 20**
（ 51 ） 分裂栅存储器及其制造方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 56
（ 52 ） 一种电阻型存储器的制备方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 68
（ 53 ） 非挥发性半导体存储器及其存储操作方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 44
（ 54 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 12
（ 55 ） 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 00
（ 56 ） 一种非易失性存储器及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 36
（ 57 ） 一种半导体存储器件, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 34
（ 58 ） 一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 40
（ 59 ） 一种闪存存储器及其制作方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 39
（ 60 ） 复合存储器, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 79
（ 61 ） 混合存储器件及其控制方法、制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 30
（ 62 ） 阻变存储器的制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 67
（ 63 ） 一种用于大规模快闪存储器的灵敏放大器, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 48
（ 64 ） 一种测量阻变存储器激活能的方法, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 20**
（ 65 ） 一种随机采样斜率模数转换器, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 66 ） 一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 67 ） 一种以低于奈奎斯特频率的采样频率进行信号采集方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 68 ） 匀光器及其制作方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: 43
（ 69 ） 基于柔性衬底的气敏传感器及其制备方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 2X
（ 70 ） 一种多路多斜率的非均匀采样电路, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 1.5
（ 71 ） 一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 3.5
（ 72 ） 一种对磁多畴态进行调控的方法, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 2.1
（ 73 ） 三维存储器及其制造方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 0.X
（ 74 ） 一种静态随机存取存储器时序控制电路, 发明, 2017, 第 3 作者, 专利号: 9.8
（ 75 ） 三端原子开关器件及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 5.4
（ 76 ） 一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 3.7
（ 77 ） 一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 3.3
（ 78 ） 电子束光刻对准标记在芯片上的布局, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 7.1
（ 79 ） 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法, 发明, 2017, 第 5 作者, 专利号: 3.2


出版信息
发表论文（1）Bulk-Like Electrical Properties Induced by Contact-Limited Charge Transport in Organic Diodes: Revised Space Charge Limited Current,ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS,2018,其他（合作组作者）
（2）Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices,NANOSCALE,2018,通讯作者
（3）Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects,ADVANCED MATERIALS,2018,通讯作者
（4）Schottky Barrier Rectifier Based on (100) beta-Ga2O3 and its DC and AC Characteristics,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018,通讯作者
（5）Schottky barrierdiodebased on β-Ga2O3 (100) single crystal substrate and its temperature-dependent electricalcharacteristics,Applied Physics Letters,2017,第10作者
（6）Resistive switching performance improvement via modulating nanoscale conductive filament, involving the application of two-dimensional layered materials,Small,2017,通讯作者
（7）Investigation on the Conductive Filament Growth Dynamics in Resistive Switching Memory via a Universal Monte Carlo Simulator,Scientific Reports,2017,通讯作者
（8）A cell-based clustering model for the reset statistics in RRAM,Applied Physics Letters,2017,通讯作者
（9）Confining cation injection to enhance CBRAM performance by nanopore graphene layer,Small,2017,通讯作者
（10）Charge-transfer complex modified bottom electrodes for high performance low voltage organic field-effect transistors and circuits,Organic Electronics,2017,通讯作者
（11）Complementary Switching in 3D Resistive Memory Array,Advanced Electronic Materials,2017,通讯作者
（12）8-layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications,Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 IEEE International,2017,通讯作者
（13）BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond,Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 IEEE International,2017,通讯作者
（14）Physical model of Seebeck coefficient under surface dipole effect in organic thin-film transistors,ORGANIC ELECTRONICS,2016,通讯作者
（15）Eliminating negative-SET behavior by suppressing nanofilament overgrowth in cation-based memory,Advanced Materials,2016,通讯作者
（16）Super non-linear RRAM with ultra-low power for 3D vertical nano-crossbar arrays,Nanoscale,2016,通讯作者
（17）阻变存储器研究进展,中国科学: 物理学力学天文学,2016,通讯作者
（18）Unified percolation model for bipolaron assisted organic magnetoresistance in the uni-polar transport regime,Phys. Rev. B,2016,通讯作者
（19）A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured With the Width-Adjusting Pulse Operation Method,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（20）An Improved Cut-Off Frequency Model With a Modified Small-Signal Equivalent Circuit in Graphene Field-Effect Transistors,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（21）Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2015,通讯作者
（22）Atomic View of Filament Growth in Electrochemical Memristive Elements,SCIENTIFIC REPORTS,2015,通讯作者
（23）Analysis of the contact resistance in amorphous InGaZnO thin film transistors,APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,通讯作者
（24）Universal description of exciton diffusion length in organic photovoltaic cell,ORGANIC ELECTRONICS,2015,通讯作者
（25）Combining Bottom-Up and Top-Down Segmentation: A Way to Realize High-Performance Organic Circuit,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（26）Analytical surface-potential compact model for amorphous-IGZO thin-film transistors,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2015,通讯作者
（27）Degradation of Gate Voltage Controlled Multilevel Storage in One Transistor One Resistor Electrochemical Metallization Cell,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（28）Set statistics in conductive bridge random access memory device with Cu/HfO2/Pt structure,APPLIED PHYSICS LETTERS,2015,通讯作者
（29）Superior Retention of Low-Resistance State in Conductive Bridge Random Access Memory With Single Filament Formation,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（30）Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2015,通讯作者
（31）Evolution of conductive filament and its impact on the reliability issues in oxide-electrolyte based resistive random access memory,Scientific Reports,2015,通讯作者
（32）Gate bias dependence of complex random telegraph noise behavior in 65-nm NOR flash memory,IEEE Electron Device Letters,2015,通讯作者
（33）Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation,Applied Physics Letters,2015,通讯作者
（34）Direct observation of conversion between threshold switching and memory switching induced by conductive filament morphology, Advanced Functional Materirals,2014,通讯作者
（35）Thermoelectric Seebeck effect in oxide based resistive switching memory,Nature Communications,2014,通讯作者
（36）Metal floating gate memory device with SiO2/HfO2 dual-layer as engineered tunneling barrier,IEEE Electron Device Letters,2014,通讯作者
（37）Low temperature atomic layer deposited HfO2 film for high performance charge trapping flash memory application,Semiconductor Science and Technology,2014,通讯作者
（38）Field effect mobility model in oxide semiconductor thin film transistors with arbitrary energy distribution of traps,IEEE Electron Device Letters,2014,通讯作者
（39）In situ electron holography study of charge distribution in high-k charge-trapping memory,Nature Communications,2013,第4作者
（40）Effect of damage in source and drain on the endurance of a 65-nm-node NOR Flash memory,IEEE Transactions on Electron Devices,2013,通讯作者
（41）Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO2-based RRAM, Scientific Reports,2013,通讯作者
（42）Modified transmission line model for bottom-contact organic transistors,IEEE Electron Device Letters,2013,通讯作者
（43）Bipolar one diode–one resistor integration for high-density resistive memory applications,Nanoscale,2013,通讯作者
（44）Real-Time Observation on Dynamic Growth /Dissolution of Conductive Filaments in Oxide-Electrolyte-Based ReRAM,Adv. Mater.,2012,通讯作者
（45）Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy,Appl. Phys. Lett.,2011,通讯作者
（46）Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device,IEEE Electron Device Lett.,2011,通讯作者
（47）A study of cycling induced degradation mechanisms in Si nanocrystal memory devices,Nanotechnology,2011,通讯作者
（48）Improvement of resistive switching characteristics in ZrO2 film by embedding a thin TiOx layer,Nanotechnology,2011,通讯作者
（49）Enhanced DNA sequencing performance through edge-hydrogenation of graphene electrodes,Adv. Funct. Mater.,2011,通讯作者
（50）Threshold Voltage Tuning of Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors,IEEE T. Electron Dev.,2011,通讯作者
（51）“Controllable growth of nanoscale conductive filaments in solid-electrolyte-based ReRAM by using metal nanocrystal cover bottom electrode,ACS Nano,2010,通讯作者
（52）Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application,Nano Lett.,2009,第4作者
（53）“Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments,Appl. Phys. Lett.,2009,第1作者
（54）Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2,IEEE Electron Devices Lett.,2008,通讯作者
（55）Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted,Appl. Phys. Lett.,2008,通讯作者
（56）On the resistive switching mechanisms of Cu/ZrO2:Cu/Pt,,Applied Physics Letters,2008,通讯作者
（57）Modeling of retention characteristics for metal and semiconductor nanocrystal memories,Solid-State Electronics,2007,通讯作者
（58）Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide,Journal of Physics D: Applied Physics,2007,通讯作者
（59）Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide,Appl. Phys. Lett.,2007,通讯作者

发表著作（1）集成电路制造技术,IC manufacturing technology,化学工业出版社,2006-03,第2作者
（2）半导体科学与技术 第九章,Semiconductor Science and Technology;Chapter 9,科学出版社,2007-09,第1作者
（3）纳米结构表面,Nanostructured Surface,Wiley-VCH,2010-07,第1作者
（4）纳米半导体器件与技术,nano-semiconductors: devices and technology,国防工业出版社,2013-12,第1作者
（5）新型阻变存储技术,resistive random access memory,科学出版社,2014-10,第1作者
（6）《半导体科学与技术》，第20章《新型非挥发性存储器》,科学出版社,2017-06,第1作者
（7）《半导体科学与技术》，第30章《微纳光刻与微纳米加工技术》,科学出版社,2017-06,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 32nm新型存储器关键工艺解决方案, 主持,国家级,2009-01--2011-12
（ 2 ） 纳米加工与新型半导体器件研究, 主持,国家级,2009-01--2012-12
（ 3 ） 纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究, 主持,国家级,2010-01--2014-08
（ 4 ） 分子电子学的基础研究, 主持,国家级,2006-01--2011-12
（ 5 ） 纳米晶浮栅存储器存储材料及关键技术, 主持,国家级,2008-01--2010-12
（ 6 ） 新型微电子器件集成的基础研究, 主持,国家级,2013-01--2015-12
（ 7 ） 超高密度存储器三维集成关键技术研究, 主持,国家级,2014-01--2018-12
（ 8 ） 新型微电子器件集成的基础研究, 主持,国家级,2016-01--2018-12
（ 9 ） 有机射频电子标签的设计与制备, 主持,部委级,2014-07--2019-06
（ 10 ） 三维阻变存储器基础研究, 主持,部委级,2016-08--2021-07
（ 11 ） 阻变存储器材料与器件研究, 主持,省级,2017-01--2018-12
（ 12 ） 科技北京百名领军人才, 主持,省级,2015-01--2017-12
（ 13 ） 基于高品质异质结构的信息电子光电器件, 主持,部委级,2017-07--2018-06

参与会议（1） Advanced Semiconductors - Opportunities for Mainland and Hong Kong Collaboration刘明2017-11-14
（2）Resistive Random Access Memory and 3D Integration2017-09-22
（3）High Performance Selector and 3D Integration刘明2017-08-20
（4）Reliability issues on oxide-electrolyte-based RRAM刘明2017-04-03
（5）High performance selector and 3D integration(Invited)2016-10-10
（6）3D Vertical Integration of Resistive Switching Memory(Invited)2016-06-07
（7）Characteristics and Mechanism of Multimode Resistive Switching Behaviors in the Oxide-electrolyte-based RRAM(Invited)2016-04-06
（8）Improvement of RRAM performances by inserting graphene layer2016-03-29
（9）Reliability Issues of Oxide Electrolyte Based CBRAM刘明2015-10-12
（10）Impact of filament evolution on reliability issues of oxide electrolyte based conductive bridge random access memory刘明2015-10-11
（11）Characteristics and mechanism of multimode resistive switching behaviors in the oxide-electrolyte-based RRAM刘明2015-09-03
（12）Reliability Issues of Oxide-Electrolyte-Based Conductive Bridge Random Access Memory刘明2015-06-28
（13）A Probe of Reliability Issues of Oxide Electrolyte Based CBRAM刘明2015-06-01
（14）Future of Memory: Application-driven or Technology-driven, which will dominate in the new era of computing?刘明2015-05-17
（15）Resistive Switching Characteristics and Mechanism of Oxide-Electrolyte-Based RRAM刘明2015-05-04


合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
张庆钊博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李大勇博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李志刚博士研究生080903-微电子学与固体电子学
薛丽君博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李泠硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
甄丽娟硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
管伟华硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
涂德钰博士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘舸博士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵以贵博士研究生080903-微电子学与固体电子学
商立伟博士研究生080903-微电子学与固体电子学
胡滨博士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨仕谦硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
柳江硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
左青云硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘璟硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
易里成荣博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王琴博士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘兴华博士研究生080903-微电子学与固体电子学
郑志威硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
韩买兴硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
陈映平硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
李维龙博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王永博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张森博士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨潇楠博士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘阿鑫硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
许中广硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
朱晨昕博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王晨杰博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张君宇硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
余兆安博士研究生080903-微电子学与固体电子学
郑志威博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王明博士研究生080903-微电子学与固体电子学
徐光伟博士研究生080903-微电子学与固体电子学
孙海涛硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨晓一硕士研究生430110-集成电路工程
王龙博士研究生080903-微电子学与固体电子学
褚玉琼硕士研究生085208-电子与通信工程
王伟博士研究生080903-微电子学与固体电子学
罗庆博士研究生080903-微电子学与固体电子学
许晓欣博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张美芸博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张科科硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
刘璟博士研究生080903-微电子学与固体电子学
龚天成博士研究生080903-微电子学与固体电子学
吴全潭博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王睿博士研究生080903-微电子学与固体电子学
曹荣荣博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张续猛博士研究生080903-微电子学与固体电子学
董航博士研究生080903-微电子学与固体电子学
段新绿博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张颖博士研究生080903-微电子学与固体电子学
袁鹏博士研究生080903-微电子学与固体电子学
贾淑静博士研究生080903-微电子学与固体电子学
项飞斌硕士研究生080903-微电子学与固体电子学