基本信息
刘键男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： liuj_12222@yahoo.com
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：设备中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085209-集成电路工程

招生方向集成电路先导工艺技术
新原理装备技术


教育背景1993-09--1997-09北京科技大学博士学位
1984-09--1987-06南开大学电子科学系硕士学位
1980-09--1984-07南开大学物理系学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2002-05~现在,中科院微电子所,研究员
2000-04~2002-04,美国纽约洲立大学,访问
1997-10~1999-10,中科院高能物理研究所,博士后
1993-09~1997-09,北京科技大学,博士学位
1987-09~1993-07,机电部13所,工程师
1984-09~1987-06,南开大学电子科学系,硕士学位
1980-09~1984-07,南开大学物理系,学士学位

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 8.x
（ 2 ） 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 2.9,
（ 3 ） 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 3 作者, 专利号: 4.5
（ 4 ） 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 4.8
（ 5 ） 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法, 2010, 第 3 作者, 专利号: 4.8
（ 6 ） 一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 5.3
（ 7 ） 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 9.4
（ 8 ） 一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法, 2010, 第 1 作者, 专利号: 1.2,


出版信息
发表论文（1）紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制,《红外与激光工程》,2010,第4作者
（2）焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进,《红外技术》,2010,第4作者
（3）三维物体的重建方法 ,《微纳电子技术》 ,2010,第2作者
（4）具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制,半导体学报,2006,第1作者
（5）基于Flip－Chip技术的AlGaN/GaN HEMTs,半导体学报,2005,第4作者
（6）高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制,半导体学报,2005,第4作者
（7）Co-implantation of carbon and nitrogen into silicon dioxide for synthesis of carbon nitride materials,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,2002,第2作者
（8）Investigation of SiC Films Deposited onto Stainless Steel and Their Retarding Effects on Tritium Permeation”,Surface and coating technology,,2000,第2作者
（9）A Rapid Annealing Study of Neutron-Irradiated GaAs by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling,J. of Vacuum Science and Technology B,2000,第1作者
（10）A Photoluminescence Study of the Defects Induced by Neutron Irradiation and Rapid Annealing in SI-GaAs,Journal of Applied Physics,2000,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 大功率LED 模组生产工艺及成套设备, 主持,省级,2011-01--2013-12
（ 2 ） 新型三维成像与三维微显示技术及器件基础研究, 主持,国家级,2010-01--2014-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生