基本信息
李豫东男硕导中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： lydong@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码： 830011
部门/实验室：辐射物理研究室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080902-电路与系统

招生方向光电材料与器件的辐射效应
半导体光电材料的辐射效应
电路与系统集成技术


教育背景2004-09--2009-06中国科学院长春光学精密机械与物理研究所博士
2000-09--2004-07吉林大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2014-11~现在,中国科学院新疆理化技术研究所,研究员
2009-11~2014-10,中国科学院新疆理化技术研究所,副研究员
2009-07~2009-10,中国科学院新疆理化技术研究所,助理研究员
2004-09~2009-06,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,博士
2000-09~2004-07,吉林大学,学士

社会兼职2018-02-08-今,中国科学院元器件专家组, 专家


教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 新疆青年科技奖, 一等奖, 省级, 2016
（2） 星用双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015

专利成果（ 1 ） 一种用于光电成像器件光谱辐射损伤的测试方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: 4.1
（ 2 ） 一种基于Matlab的图像传感器RTS噪声检测分析系统, 2015, 第 3 作者, 专利号: 2.8
（ 3 ） 用于元器件电离辐照的X射线辐照方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 7.7
（ 4 ） 用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备, 2016, 第 1 作者, 专利号: 6.2
（ 5 ） 辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 3.8
（ 6 ） 辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 6.6
（ 7 ） 快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 7.5
（ 8 ） 一种基于光斑的电荷耦合器件电荷转移效率通用测试方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 6.X
（ 9 ） 一种基于宇宙射线的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 5.3
（ 10 ） 基于p-i-n结构的位移损伤剂量探测方法, 2014, 第 5 作者, 专利号: 5.5
（ 11 ） 用于焦平面成像器件绝对光谱响应的通用快速测量方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 9.6
（ 12 ） 一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法, 2017, 第 2 作者, 专利号: 6.9
（ 13 ） 一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤的测试方法, 2016, 第 5 作者, 专利号: 2.6


出版信息
发表论文（1）Heavy ion-induced single event effcts in active pixel sensor array,Solid State Electronics,2019,第3作者
（2）γ 射线及质子辐照导致 CCD 光谱响应退化的机制,发光学报,2018,第2作者
（3）质子辐射导致ＣＣＤ 热像素产生的机制研究,微电子学,2018,第3作者
（4）CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究,发光学报,2017,第2作者
（5）1MeV electron irradiation effects on InGaAsP_InGaAs double-junction solar cell and its component subcells,SCIENCE CHINA Information Sciences,2017,第6作者
（6）Analysis of proton and g-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors,Chin. Phys. B,2017,第11作者
（7）CMOS 传感器辐射损伤对视觉位姿测量系统性能的影响机制,红外与激光工程,2017,第11作者
（8）ＣＭＯＳ图像传感器光子转移曲线辐照后的退化机理,光学精密工程,2017,第11作者
（9）CMOS 有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究,发光学报,2017,第2作者
（10）基于 X 射线的晶圆级器件辐照与 辐射效应参数提取设备的设计与实现,发光学报,2017,第11作者
（11）A Radiation-Tolerant, High Performance SPAD for SiPMs Implemented in CMOS Technology,IEEE NSS/MIC,2016,第1作者
（12）Research on Spectral Response Degradation of Charge-Coupled Devices Induced by Radiation Damage,RADECS,2016,第1作者
（13）温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响,发光学报 2016年06期,2016,第11作者
（14）电荷耦合器件中子辐照诱发的位移效应,发光学报 2016年03期,2016,第11作者
（15）质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响,红外与激光工程 2015年12期,2015,第3作者
（16）基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究,物理学报 2015年12期,2015,第11作者
（17）深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应,微电子学 2015年10期,2015,第2作者
（18）CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应,强激光与粒子束 2015年09期,2015,第2作者
（19）电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应,微电子学 2015年08期,2015,第2作者
（20）质子与中子辐照对电荷耦合器件暗信号参数的影响及其效应分析,物理学报 2015年08期,2015,第2作者
（21）In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究,物理学报 2015年06期,2015,第2作者
（22）电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析,物理学报 2015年04期,2015,第11作者
（23）质子辐射下互补金属氧化物半导体有源像素传感器暗信号退化机理研究,物理学报 2015年03期,2015,第2作者
（24）0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应,发光学报 2015年02期,2015,第2作者
（25）质子辐照导致科学级电荷耦合器件电离效应和位移效应分析,物理学报 2015年01期,2015,第2作者
（26）Room-Temperature Annealing of 1MeV Electron Irradiated Lattice Matched In_0.53Ga_0.47AsInP Multiple Quantum Wells,中国物理快报 2015年05期,2015,第11作者
（27）质子辐照导致科学级CCD电离效应和位移效应分析,物理学报,2014,第2作者
（28）60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究,物理学报,2014,第2作者
（29）CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统,光学精密工程,2013,第1作者
（30）60Co-γ射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究,物理学报,2013,第2作者
（31）Low-Dose 1 MeV Electron Irradiation-Induced Enhancement in the Photoluminescence Emission of Ga-Rich InGaN Multiple Quantum Wells,CHIN. PHYS. LETT. ,2013,第2作者
（32）Co-60射线对高铝组分AlGaN基p-i-n日盲型光探测器理想因子的影响,物理学报,2013,第2作者
（33）CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究,Research on Electron Irradiation Damage Effects of Charge Coupled Device,原子能科学技术,2012,第1作者
（34）静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究,Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array,物理学报,2011,第4作者
（35）星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究,Total Ionizing Dose Effects of DC-DC Power Converter Used in Satellite,原子能科学技术,2011,第4作者
（36）TDI-CCD总剂量辐射效应及测试,Influence of total dose effects on TDI-CCD and corresponding test methods,光学精密工程,2009,第2作者
（37）SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析,Total dose effects and radiation damage reasons of VLSI SRAM and ROM storages,光学精密工程,2009,第1作者
（38）面向对象的嵌入式系统电源管理模型,Object-oriented Power Management Model of Embedded System,计算机工程,2009,第1作者
（39）高分辨率嵌入式视频监控设备的设计,A Design of Embedded Video Surveillance Device With High Resolution,微计算机信息,2009,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 基于像素单元的CMOS图像传感器辐射损伤机理研究, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 2 ） TDI-CCD辐射效应研究, 主持,部委级,2011-01--2012-12
（ 3 ） CCD的辐射效应及评估方法研究, 主持,部委级,2009-07--2013-06
（ 4 ） 空间辐射对高灵敏度CCD性能的影响, 主持,国家级,2014-07--2015-06
（ 5 ） 晶片级辐照与辐射效应参数提取设备, 主持,部委级,2014-01--2015-12
（ 6 ） CCD的空间位移辐射损伤效应研究, 主持,部委级,2013-09--2017-08
（ 7 ） 背照式CMOS图像传感器像素结构的累积辐射效应与机理研究, 主持,国家级,2017-01--2020-12
（ 8 ） 电子元器件辐射效应基础数据库研究, 主持,国家级,2018-01--2020-12
（ 9 ） 钴源试验技术, 参与,国家级,2011-01--2015-12
（ 10 ） 质子位移效应试验技术, 参与,国家级,2014-01--2018-06
（ 11 ） 中子导致图像传感器热像素的机理与评估方法, 主持,国家级,2017-01--2018-12
（ 12 ） CIS单粒子效应试验评估技术, 参与,国家级,2017-01--2018-12

参与会议（1）A Radiation-Tolerant, High Performance SPAD for SiPMs Implemented in CMOS Technology2013年IEEE核科学与技术学术年会2016-11-01
（2）科学级CCD与商用CCD的电离辐射损伤研究2013年IEEE核科学与技术学术年会李豫东2013-10-28
（3）CCD的总剂量效应及加固方法研究第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议李豫东2011-11-17
（4）光电成像器件抗辐射性能检测设备的研制第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 李豫东2011-11-15


合作情况
项目协作单位

指导学生