基本信息
李淘男硕导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： litao@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号13320组件室
邮政编码： 200083

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向短波红外探测器
偏振微结构
可靠性分析


教育背景2007-09--2010-07中国科学院上海技术物理研究所理学博士

学历
学位

工作经历
工作简历2017-09~现在,中国科学院上海技术物理研究所,研究员
2015-04~2015-07,University of Illinois at Chicago,Visiting Research Associate Professor
2012-10~2017-09,中国科学院上海技术物理研究所,副研究员
2010-07~2012-09,中国科学院上海技术物理研究所,助理研究员
2007-09~2010-07,中国科学院上海技术物理研究所,理学博士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage,Journal of Electronic Materials,2017,第3作者
（2）不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析,红外与激光工程,2016,第2作者
（3）Subwavelength gold grating as polarizers integrated with InP based InGaAs sensors,ACS Applied Materials & Interfaces,2015,第2作者
（4）The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor,AIP Advances,2015,第2作者
（5）Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors,Infrared Physics & Technology,2015,第2作者
（6）Responsivity Performance of Extended Wavelength InGaAs Shortwave Infrared Detector Arrays,Proc. of SPIE,2014,第1作者
（7） Performance of low dark current InGaAs shortwave infrared detector, Proc. of SPIE,2012,第1作者
（8）台面型InGaAs探测器暗电流及低频噪声研究,光电子 激光,2010,第1作者
（9）Low frequency noise characteristics of extended wavelength InGaAs infrared detector,Proc. of SPIE,2009,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证, 参与,国家级,2012-01--2016-08
（ 2 ） 航空机载用平面型大光敏元InGaAs短波红外探测器, 主持,市地级,2012-01--2013-12
（ 3 ） 基于纳米天线增强效应的新型短波红外探测器研究, 主持,国家级,2017-01--2019-12
（ 4 ） 基于阻挡层结构外延材料的InGaAs探测器的可见-短波红外光谱拓展方法研究, 参与,国家级,2013-01--2017-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生